2SC0106T
双通道SCALE-2+驱动核，最高的集成水平，适用于10至75kVA的逆变器设计，以最经济的方式完整通过安全认证
应用
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产品
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数据手册
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IGBT电压等级
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通道数
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三防漆?
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支持的模块
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保护功能
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技术
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支持的拓扑
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接口类型
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电源电压 (典型)
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门极导通电压
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门极关断电压
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输出功率/通道-最大
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门极峰值电流（最大）
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隔离类型
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隔离技术
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最大开关频率
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時間 - 輸出下降
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時間 - 輸出上升
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UL合规
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驱动模式
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主/外围
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选项信息
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并行支持？
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ROMS
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Data Sheet
View Data Sheet
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IGBT Voltage Class
1200 V
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Number of Channels
2
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Conformal Coated?
No
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Supported Module Type
IGBT, N沟道MOSFET
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Protection Features
基本有源钳位, 软关断, 短路, 欠压（次级侧）, 欠压（初级侧）
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Technology
SCALE-2+
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Supported Topologies
两电平电压源
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Interface Type
电气
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Supply Voltage (Typ)
15 V
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Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
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Gate Turn-off Voltage
--10.2 V
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Power - Output/Channel (Max)
1.2 W
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Gate Peak Current (Max)
+6 A
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Isolation Type
加强型
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Isolation Technology
电隔离
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Max Switching Frequency
50.0 kHz
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Time - Output Fall
13 ns
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Time - Output Rise
20 ns
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UL Compliant
认可
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Driving Mode
直接独立
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Main/Peripheral
N/A
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Options Info
Conformal Coated Version 2SC0106T2A1C-12
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ROMS
是
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Data Sheet
View Data Sheet
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IGBT Voltage Class
1200 V
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Number of Channels
2
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Conformal Coated?
Yes
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Supported Module Type
IGBT, N沟道MOSFET
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Protection Features
基本有源钳位, 软关断, 短路, 欠压（次级侧）, 欠压（初级侧）
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Technology
SCALE-2+
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Supported Topologies
两电平电压源
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Interface Type
电气
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Supply Voltage (Typ)
15 V
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Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
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Gate Turn-off Voltage
--10.2 V
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Power - Output/Channel (Max)
1.2 W
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Gate Peak Current (Max)
+6 A
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Isolation Type
加强型
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Isolation Technology
电隔离
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Max Switching Frequency
50.0 kHz
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Time - Output Fall
13 ns
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Time - Output Rise
20 ns
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Driving Mode
直接独立
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Main/Peripheral
N/A
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Paralleling Support?
No
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产品详情
The dual-channel gate driver core 2SC0106T, equipped with the new SCALE-2+ chipset, is a high-performance two-channel IGBT/MOSFET gate driver core for 1200 V IGBTs in the 37 kW to 110 kW power range. The 2SC0106T drives 600 V to 1200 V IGBTs with collector currents up to 450 A and switches at frequencies up to 50 kHz.
The new SCALE-2+ technology enables soft shutdown (SSD) to be implemented in the event of a short circuit without requiring additional components. This is particularly beneficial in applications with low stray-inductance where full Advanced Active Clamping – a method invented by CONCEPT for shutting down IGBTs or MOSFETs in a controlled manner under any circumstances - may not be necessary.
UL-recognized under E321757 for UL508C and E346491 for UL60950-1 is planned.
与基于光耦的解决方案相比，有更高的性价比，安全隔离性能更高，且不会有参数衰减。
- SCALE-2+芯片组
- 新的管脚，支持手工焊接、波峰焊接及其他可选的焊接工艺
- 新的管脚长度（2.54mm；3.1mm；5.84mm），支持2mm PCB板厚
- 完全无铅
- 均采用了EMC增强型技术
- 电气及机械性能保持不变
- 100%向下兼容
- 所有型号均通过UL认证，且符合UL508C标准
- 双通道驱动核，可驱动耐压在1200V以内的IGBT
- ±6A门极电流，+15V/-8V门极驱动电压
- 每个通道功率为1 W（85°C）
- 板载DC/DC电源
- 高可靠性（元件数量减少）
- 一流的隔离技术
- 采用局部放电测试的绝缘技术
- 延迟时间<100ns，最高开关频率为50kHz
- 符合IEC 61800-5-1和IEC 60664-1的安全隔离标准
- 通过UL认证（认证号为UL508C标准中的E321757和UL60950-1标准中的E346491）
- 工作温度-20℃——+85℃（105℃时降额使用）
- 符合RoHS标准
- 可提供原厂三防漆涂覆
