PowiGaN 技术
PowiGaN 是 Power Integrations 自主开发的氮化镓 (GaN) 技术。PowiGaN 开关替代了 PI 高集成离线反激式开关 IC 的传统硅晶体管，降低了开关损耗，使充电器、适配器和开放式电源比硅基替代品更高效、更小巧、更轻便。
Power Integrations 继续引领 GaN 技术的进步，扩展了开关电压，并将 GaN 提升为成熟可靠的半导体技术，适用于最苛刻的应用。
全球首款1700 V氮化镓开关
Power Integrations在不到两年的时间内实现了三个电压等级的突破，分别是900V、1250V及1700V。1700V的电压等级标志着氮化镓功率电子技术的重大突破，使得氮化镓设备能够在高电压应用中替代成本高昂的碳化硅（SiC）晶体管。
行业首创的高压 GaN 电力器件，适用于广泛的应用
InnoSwitch3-EP 适用于家电和工业用途
- 750 V, 900 V 或 1250 V PowiGaN 开关
- 我们最多功能的单开关反激式电源供应IC系列提供三种带有GaN开关的电压等级，此外还有硅和SiC选项。设计工程师可以选择最适合其应用的开关选项，无需更改设计。
InnoSwitch3-AQ - AEC-Q100 认证，适用于汽车用途
- 750 V 或 900 V PowiGaN 开关
- 首款汽车认证的 900 V GaN 电力器件，是替换 400 BEV 系统中的 12 V 铅酸电池的理想选择。
InnoMux2-EP 用于多输出反激电源
- 750 V 或 1700 V PowiGaN 开关
- 唯一的单级反激解决方案，用于多个独立调节的输出，无需后置调节器，并实现无源钳位的零电压开关 (ZVS)。
HiperPFS-5 功率因数校正 IC
- 750 V PowiGaN 开关
- 唯一使用 GaN 技术的 PFC 控制器 IC，实现了 0.98 的功率因数，并在 PFC 阶段无需使用笨重的散热器。它支持最高 250 W 输出，并可以并联使用，总输出功率达到 500 W。
在 USB PD 和快速充电中实现最高级别的集成
- InnoSwitch5-Pro - 900 V PowiGaN, 无主动钳位的 ZVS，支持 28 V USB PD EPR
- InnoSwitch4-Pro - 750 V PowiGaN, 通过 I²C 接口数字控制，搭配 ClampZero实现ZVS
- InnoSwitch4-CZ - 750 V PowiGaN, 搭配 ClampZero 实现最大效率
- InnoSwitch3-PD - 750 V PowiGaN, 内置 USB-C 和 USB PD 控制器
- InnoSwitch3-Pro - 750 V PowiGaN, 通过 I²C 接口数字控制
更多产品...
- InnoSwitch3-CP - 750 V PowiGaN，用于恒定功率充电
- LYTSwitch-6 - 750 V PowiGaN，适用于 LED 照明和镇流器
- MinE-CAP 用于减小充电器中的电容器尺寸，与 InnoSwitch 器件配对使用
开拓品质与可靠性
2018年秋季，Power Integrations 开始批量销售基于 PowiGaN 的产品，标志着 GaN 电力转换器件首次商业化。此后，PowiGaN 开关累计运行时间超过一万亿小时，故障率极低。
随着行业开始建立 GaN 器件的标准化可靠性评估，Power Integrations 坚持我们的使命：不仅要满足行业标准，还要在定义这一令人兴奋的新技术的可靠性方面走在前列。
可靠性一直是我们 GaN 开发的重点，所有 PowiGaN 产品都经过严格测试，超越了传统和特定于 GaN 的基准。PI 市场营销和应用工程副总裁 Doug Bailey 在此视频中详细介绍了 PowiGaN 的质量、坚固性和可靠性。
了解更多关于 PowiGaN 的信息：
- 白皮书：基于 PowiGaN 的初级侧电源开关扩展了 InnoSwitch3 IC 系列的功率范围
- 圆桌讨论：在 2023 PowerUP 博览会上 PI 技术领导者分析 GaN 革命
- 系列视频（四集）：Doug Bailey 解释GaN
- 视频：谁需要 900 V GaN?
