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高压、自供电、带集成设备保护和系统监控的半桥电机驱动器。输出高达1马力。睡眠模式下功耗低于12 mW。改进的故障报告。

零功耗 X电容自动快速放电IC，可选无损耗过零点信号发生器

适用于1200V和1700V且封装为PrimePACK™ 3+ IGBT模块的双通道即插即用型驱动器

高压，自供电，带集成设备保护和系统监控的半桥电机驱动器

采用集成600 V MOSFET的PFC控制器可在整个负载范围内提供高功率因数，具有高效率

集成了系统级保护的高能效、低功率、离线式开关电源IC

集成了系统级保护的高能效 725 V / 900 V MOSFET 离线式开关电源IC可实现低元件数的电源设计

适用于90 kW-500 kW逆变器的最小IGBT门极驱动器，SCALE-2+技术，适用于1200 V IGBT驱动器的电气绝缘方案，高级有源钳位或SSD功能

零功耗X电容自动放电IC

单通道SCALE-2驱动核，最高的集成水平，集成DC/DC电源和光纤接口的灵活的4.5 kV和6.5 kV门极驱动器

双通道SCALE-2+驱动核，最高的集成水平，适用于10至75kVA的逆变器设计，以最经济的方式完整通过安全认证

用于4.5kV IGBT的单通道SCALE-2即插即用型驱动器、主/从结构支持驱动器直接并联

单通道SCALE-2即插即用型驱动器，具有主/从操作功能，可驱动3300 V到6500 V的IGBT（需配备外置的DC/DC电源）

单通道SCALE-2即插即用型驱动器，具有主/从操作功能，可驱动1200V到3300V的IGBT（自带DC/DC电源）

用于PrimePACK™ IGBT模块的双通道SCALE-2即插即用型驱动器，电气或光纤接口，支持驱动器直接并联

用于17mm IGBT模块的双通道SCALE-2即插即用型驱动器，功能齐全，支持驱动器直接并联

双通道SCALE-2驱动核，最高的集成水平，兼容Infineon 的2ED300C17-S驱动器，30 A门极电流，2 x 4 W驱动功率

用于3.3 kV IGBT的双通道SCALE-2驱动核，最高的集成水平，超紧凑，高电压，高功率，35 A门极电流，2 x 5 W输出功率

采用平面变压器的单通道SCALE-2驱动核，最高的集成水平，最高的功率密度，针对大功率和高频应用，50 A门极电流，2 x 6 W输出功率

双通道SCALE-2+驱动核，适用2SC0435T2F1-17、2SC0435T2G1-17和2SC0435T2H0-17，具有最高集成度，超紧凑，高质量；35 A门极电流，2 x 4 W输出功率

双通道SCALE-2+驱动核，最高的集成水平，超紧凑，高质量，8 A门极电流，2 x 1 W输出功率

采用平面变压器的单通道SCALE-2驱动核，最高的集成水平，驱动电流60 A，用于驱动并联的大功率IGBT模块，输出功率20 W，用于最高500 kHz的高频应用

快速硅二极管，具有一流的EMI性能

• V_RRM     - 150 V, 200 V, 300 V, 600 V
• I_F(AVG)   - 3 A - 40 A
• Q_RR       - 5 nC - 61 nC

快速硅二极管，在EMI性能与开关速度之间实现平衡

• V_RRM     - 600 V
• I_F(AVG)   - 3 A - 20 A
• Q_RR       - 21 nC - 51 nC

超快速硅二极管

• V_RRM     - 600 V
• I_F(AVG)   - 3 A - 12 A
• Q_RR       - 5.9 nC - 8.9 nC