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产品
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数据手册
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最大X电容
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总串联电阻
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击穿电压
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IC封装
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安装类型
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产品类型
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运作温度 (最大)
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运作温度 (最小)
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Data Sheet
View Data Sheet
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Max X Capacitance
100 nF to 6 microF
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Total Series Resistance
7.5 MOhm to 142 kOhm
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Breakdown Voltage
1000 V
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IC Package
SO-8
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Mounting Type
表面安装
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Product Type
IC
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Temperature - Operating (Max)
110 °C
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Temperature - Operating (Min)
-10 °C
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产品详情
施加AC电压后，CAP200DG可阻断X电容安全放电电阻中的电流，这样可在230 VAC输入时将功率损耗降至5 mW以下，甚至为零功耗1。AC断电后，将CAP200DG与串联放电电阻相连，可自动对X电容进行放电。这种工作方法有助于灵活选择X电容，以优化差模EMI滤波，并在功耗不变的情况下降低电感成本。
使用CAP200DG设计电源时，只需根据所用X电容值选择合适的外部电阻值即可获得所需的时间常数。双端子CAP200DG IC的简单性和稳健性，使其成为设计满足EuP Lot 6要求的电源系统的理想之选。
Key Features
- 一个元件即可涵盖100 nF到6 mF的X电容值
- AC电压接通后阻止电流流经X电容放电电阻
- AC断电后通过放电电阻自动对X电容进行放电
- 简化EMI滤波电路的设计 – 采用更大容量的X电容，可使用小号电感元件，而不会改变功耗
- 只有两个端子 – 在系统输入保险丝之前或之后使用均可满足安全标准
- 封装和PCB板上的爬电距离>4 mm
- 自供电 – 无需外部偏置
- 高共模抗浪涌能力 – 无需外部接地连接
- 高差模抗浪涌能力 – 内部集成1000 V MOSFET
- 通过NEMKO与CB认证
