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產品
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產品規格型錄
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最大X電容
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總串聯電阻
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擊穿電壓
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IC封裝
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安裝類型
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產品類別
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運作溫度 (最大)
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運作溫度 (最小)
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Data Sheet
View Data Sheet
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Max X Capacitance
100 nF to 6 microF
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Total Series Resistance
7.5 MOhm to 142 kOhm
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Breakdown Voltage
1000 V
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IC Package
SO-8
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Mounting Type
表面安裝
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Product Type
IC
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Temperature - Operating (Max)
110 °C
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Temperature - Operating (Min)
-10 °C
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產品詳情
施加 AC 電壓時，CAP200DG 會阻止 X 電容安全放電電阻內的電流流動，藉此將功率損失降至 5 mW 以下，甚至在 230 VAC 條件下損失為零。中斷 AC 電壓時，CAP200DG 會透過連接串聯放電電阻，自動使 X 電容放電。此操作可以讓 X 電容的選擇具有很大彈性，從而最佳化差模 EMI 濾波並降低電感成本，同時不影響功耗。
採用 CAP200DG 設計時，只要針對將使用的 X 電容值選取適當的外部電阻值，即可獲得所需的時間常數。二端 CAP200DG IC 的簡單和耐用特性，無疑是符合 EuP Lot 6 要求之系統的最佳選擇。
Key Features
- 涵蓋的 X 電容值為 100 nF 至 6 mF
- 接通 AC 電壓時，能阻斷電流經過 X 電容放電電阻
- 中斷 AC 電壓時，能自動使 X 電容經由放電電阻進行放電
- 可簡化 EMI 濾波器設計 – 大型 X 電容器允許使用較小的電感元件，而不影響功率耗損
- 只使用二端 – 用於系統輸入保險絲之前或之後，均符合安全標準
- 封裝和 PCB 上的沿面距離大於 4 mm
- 自行供電 – 不需要額外的偏壓
- 高度共模突波耐受性 – 不用外部接地
- 高度差模突波耐受性 – 採用 1000 V 內部 MOSFET
- NEMKO 和 CB 認證
