2SC0115T2A0-12
Smallest IGBT gate-driver for 90 kW-500 kW inverters, SCALE-2+ Technology, galvanic solution for 1200 V IGBT drivers, advanced active clamping or SSD
제품 상세 정보
Leveraging SCALE-2+ integrated circuit and isolated transformer technology for DC/DC power and switching signal transmission, the new 2SC0115T IGBT driver core improves system reliability and performance by eliminating the need for an opto-coupler. The IGBT driver core’s reinforced electrical isolation targets systems with a working voltage of 900 V, which is typical for 1200 V IGBT modules and complies with the PD2 and OV II requirements of IEC 60664-1 and IEC 61800-5-1. The 2SC0115T IGBT gate driver core supports modules up to 2400 A and switching frequencies of up to 50 kHz.
명세서
최대 스위칭 주파수 | 50.00 kHz |
IGBT 전압 등급 | 1200 V |
기술 | SCALE-2+ |
출력 전력 / 채널-최대 | 1.40 W |
인터페이스 유형 | 전기 |
옵션 정보 | Conformal Coated Version 2SC0115T2A0C-12 |
채널 수 | 2 |
Footnote | Dual-Channel IGBT Driver Core for 1200V IGBTs |
게이트 피크 전류 (최대) | +15 A |
상품 유형 | 회로 기판 |
Product Sub-Type | 드라이버 코어 |
지원되는 모듈 유형 |
IGBT
N채널 MOSFET
|
메인 / 주변 | 해당 없음 |
지원되는 토폴로지 |
2단계 전압 소스
3단계 NP 클램프 - 유형 1
3단계 NP 클램프 - 유형 2
다단계 NP 클램프
|
보호 기능 |
고급 능동 클램핑
단락
저전압 (2차측)
저전압 (1차측)
|
드라이브 모드 | 직접 독립형 |
논리 입력 전압 | 5 |
공급 전압 (일반) | 15.00 V |
게이트 턴온 전압 | +15.00 V |
게이트 턴 오프 전압 | --8.50 V |
시간 - 출력 상승 | 6.00 ns |
시간 - 출력 하락 | 12.00 ns |
격리 기술 | 절연 |
격리 유형 | 강화형 |
게이트 피크 전류 (최소) | -15 |