PowiGaN 技術
PowiGaN 是 Power Integrations 自行開發的氮化鎵（GaN）技術。PowiGaN 開關取代了 PI 高度整合的離線返馳式開關 IC 一次側的傳統矽晶體管，減少了開關損耗，並使充電器、轉接器和開架式電源比矽替代品更高效、更小且更輕。
Power Integrations 繼續領導 GaN 技術的進步，擴大開關電壓範圍，並將 GaN 提升為在最苛刻的應用中也能可靠運行的成熟半導體技術。
全球首款1700 V氮化鎵開關
Power Integrations在不到兩年的時間內實現了三個電壓等級的突破，分別是900V、1250V及1700V。1700V的電壓等級標誌著氮化鎵功率電子技術的重大突破，使得氮化鎵裝置能夠在高電壓應用中取代成本高昂的碳化矽（SiC）晶體管。
為廣泛應用開創高電壓 GaN 功率裝置
InnoSwitch3-EP - 適用於家電與工業用途
- 750 V、900 V 或 1250 V PowiGaN 開關
- 我們最多功能的單開關反激式電源供應IC系列提供三種帶有GaN開關的電壓等級，此外還有矽和SiC選項。設計工程師可以選擇最適合其應用的開關選項，無需更改設計。
InnoSwitch3-AQ - AEC-Q100 認證，適用於汽車用途
- 750 V 或 900 V PowiGaN 開關
- 首款汽車認證的 900 V GaN 功率裝置是替代 400 BEV 系統中 12 V 鉛酸電池的理想解決方案。
InnoMux2-EP - 適用於多輸出反激電源
- 750 V 或 1700 V PowiGaN 開關
- 首款適用於多個獨立調節輸出的單級反激解決方案，消除了對後置穩壓器的需求，並在無需主動鉗位的情況下實現零電壓開關 (ZVS)。
HiperPFS-5 - 功率因數校正 IC
- 750 V PowiGaN 開關
- 首款利用 GaN 技術的 PFC 控制器 IC，實現 0.98 功率因數，消除了 PFC 階段對大型散熱片的需求。支援高達 250 W 的輸出，並可並聯堆疊至 500 W。
USB PD 和快速充電中的最高整合級別
- InnoSwitch5-Pro - 900 V PowiGaN，無需主動鉗位的 ZVS，支援 28 V USB PD 擴展功率範圍
- InnoSwitch4-Pro - 750 V PowiGaN，搭載 ClampZero 的 ZVS，可通過 I²C 介面進行數位控制
- InnoSwitch4-CZ - 750 V PowiGaN，搭載 ClampZero 的 ZVS 以實現最大效率
- InnoSwitch3-PD - 750 V PowiGaN，內建 USB-C 和 USB PD 控制器
- InnoSwitch3-Pro - 750 V PowiGaN，通過 I²C 介面數位控制
更多...
- InnoSwitch3-CP - 750 V PowiGaN，適用於恆功率充電
- LYTSwitch-6 - 750 V PowiGaN，適用於 LED 照明與鎮流器
- MinE-CAP - 搭配 InnoSwitch IC 使用，縮小充電器中的電容尺寸
設立標準的品質與可靠性
GaN 裝置自 2018 年秋季以來首次在商業上大規模上市，當時 Power Integrations 開始出貨基於 PowiGaN 的產品。自此以來，PowiGaN 開關在極低的故障率下，已累積超過 1 兆小時的運行時間。
隨著業界開始建立 GaN 裝置的標準化可靠性評估，Power Integrations 堅守使命：不僅要達到業界標準，還要領導這一令人興奮的新技術的可靠性定義。
可靠性始終是我們 GaN 開發的核心，所有 PowiGaN 產品都經過嚴格測試，超越了傳統和 GaN 特有的基準。PI 行銷與應用工程副總裁 Doug Bailey 在這段影片中詳細解析了 PowiGaN 的品質、堅固性與可靠性。
深入了解 PowiGaN：
- 白皮書: PowiGaN 基於一次側功率開關，擴展 InnoSwitch3 IC 家族的功率範圍
- 專題討論: PowerUP Expo 2023，PI 技術領導者的 GaN 革命專題討論
- 視頻系列 (4 部分): Doug Bailey解說GaN
- 視頻: 誰需要 900 V GaN？
