LNK3208D

LinkSwitch-TN2系列IC适用于非隔离离线式电源，与传统的线性或阻容降压式方案相比性能有大幅提升。采用高集成度的LinkSwitch-TN2 IC的设计具有更大的适用性，并且具有更高的效率、更全面的系统级保护和更高的可靠性。该产品系列支持降压式、降压-升压式和反激式变换器拓扑结构。每个器件在一个单片IC上集成了一个725 V / 900 V的功率MOSFET、振荡器、可实现最高轻载效率的开/关控制、一个给IC实现自供电的高压开关电流源、频率调制、快速（逐周期）电流限制、迟滞热关断以及输出和输入过压保护电路。

LinkSwitch-TN2 IC在待机模式下消耗极小的电流，从而使电源设计符合全球所有的空载和待机功耗标准。 LinkSwitch-TN2器件还具有更高的反馈引脚参考电压精度，达到±1.3%，上一代器件(LinkSwitch-TN)的参考电压精度为6.6%。 MOSFET的工作限流点可通过BYPASS引脚电容值进行选择。选择较高的限流点可提供最大连续输出电流，而较低的限流点允许使用成本非常低的小尺寸表面贴装电感。完善的保护特性可确保电源安全、可靠运行，在出现输入和输出过压故障、器件过热故障、电压失调以及电源输出过载或短路故障时保护器件及整个系统。

产品特色

性能特点及设计适用性

• 支持降压式、降压-升压式和反激式拓扑结构
• 元件数量非常少的降压式变换器
• 出色的负载调整率和输入电压调整率
• 可选的器件限流点
• 66 kHz工作频率，且具有精确的限流点
• 允许使用市售现成的低成本电感
• 可缩减电感和电容的尺寸和成本
• 频率调制技术可降低EMI滤波电路的复杂度
• 引脚布局利于PCB板上的散热设计

增强的安全及可靠性能

• 输出过压保护(OVP)
• 输入过压保护(OVL)
• 迟滞过热保护(OTP)
• 扩大了漏极与其它引脚间的爬电距离，提高了应用的可靠性
• 集成725 V额定电压MOSFET，具有出色的抗雷击性能
• 900 V MOSFET系列适用于工业应用或提供更大的安全幅度

EcoSmart – 高效节能

• 待机时IC的供电电流 <100 μA
• 开/关控制可在宽负载范围内提供恒定的效率
• 轻松满足全球所有能效标准
• 采用外部偏置供电的高端降压式变换器拓扑时的空载功耗<30 mW
• 采用外部偏置供电的反激式变换器拓扑时的空载功耗<10 mW