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白皮书 - 超越 1200 V:用于高可靠性电动汽车和工业应用的横向 GaN HEMTs

PI 首创采用 1250 V 氮化镓的电源开关 IC,具有显著的瞬态过电压能力,这对于需要高电压和高可靠性的电动汽车及工业应用至关重要。在 2024 年 PCIM  Europe 展会上,我们的 PowiGaN 专家 Kamal Varadarajan 深度分享这一开创性技术。

下载白皮书: Reaching Beyond 1200 V: Lateral GaN HEMTs for High-Reliability EV and Industrial Applications 

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