SIC1181KQ
향상된 액티브 클램핑 및 최대 1200V의 강화 절연을 제 공하는 자동차 애플리케이션용 최대 8A 단일 채널 SiC MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버
애플리케이션
제품 상세 정보
SIC1181KQ 및 SIC1182KQ는 SiC MOSFET용 단일 채널 게이트 드라이버 입니다. 강화된 갈바닉 절연은 파워 인테그레이션스(Power Integrations)의 혁신적인 고체 절연체 FluxLink 기술로 제공됩니다. 최대 ±8A 피크 출 력 드라이브 전류는 제품이 최대 600/800A(일반)의 정격 전류로 장치를 구동할 수 있게 합니다.
1차측 및 2차측에 대한 저전압 록아웃(UVLO), 온도 및 프로세스 보정 출 력 임피던스를 갖는 rail-to-rail 출력 등의 추가 기능은 혹독한 상황에서 도 안전한 작동을 보장합니다.
또한, 이 게이트 드라이버 IC는 단일 센싱 핀을 통해 AAC 향상된 액티브 클램핑(턴오프 단계 동안)으로 수행되는 과전압 제한 뿐만 아니라 회로 단락 보호(턴온 단계 동안) 기능을 제공합니다. SIC MOSFET에 전류 센 싱 단자가 공급되면 조정 가능한 과전류 감지가 실현될 수 있습니다.
명세서
| 최대 스위칭 주파수 | 150.00 kHz |
| IGBT 전압 등급 | 750 V |
| 기술 | SCALE-iDriver |
| 인터페이스 유형 | 전기 |
| 채널 수 | 1 |
| 게이트 피크 전류 (최대) | +8 A |
| 상품 유형 | IC |
| Product Sub-Type | 드라이버 IC |
| 지원되는 모듈 유형 |
IGBT
탄화규소
|
| 메인 / 주변 | 해당 없음 |
| 지원되는 토폴로지 |
2단계 전압 소스
3단계 NP 클램프 - 유형 1
3단계 NP 클램프 - 유형 2
다단계 NP 클램프
|
| 보호 기능 |
고급 능동 클램핑
동적 고급 능동 클램핑
단락
저전압 (2차측)
저전압 (1차측)
|
| 드라이브 모드 | 직접 독립형 |
| 논리 입력 전압 | 5 |
| 공급 전압 (일반) | 5.00 V |
| 시간 - 출력 상승 | 22.00 ns |
| 시간 - 출력 하락 | 18.00 ns |
| 격리 기술 | Fluxlink |
| 격리 유형 | 강화형 |
| 게이트 피크 전류 (최소) | -8 |
