SID1132KQ
自動車アプリケーション用の強化絶縁型シングル チャンネル IGBT/MOSFET ゲート ドライバ
これは、新しい設計には推奨されないアクティブ製品です。
アプリケーション
製品詳細
SID11xxKQ は、eSOP パッケージに組み込まれたシングル チャンネル IGBT 及び MOSFET ドライバです。強化絶縁は、Power Integrations の革新的で堅牢な絶縁技術である FluxLink によって実現されます。8 A のピーク出力ドライブ電流により、アクティブ部品を追加せずに最大 600 A (標準) までの IGBT 及び MOSFET を駆動できます。SID11xxKQ 単独で駆動できるドライブ容量を超える場合は、外部アンプ (ブースター) を追加することもできます。ゲート制御のための安定した正負の電圧は、一つの単極絶縁電圧によって供給されます。
アドバンストソフト シャット ダウン (ASSD) を含む短絡保護 (DESAT)、一次側及び二次側のための低電圧ロックアウト (UVLO)、温度及びプロセス補正された出力インピーダンスを有するレイルツーレイル出力などの追加機能により、過酷な状況においても安全な動作が保証されます。
コントローラ (PWM と異常) 信号は 5 V CMOS ロジックに対応し、外部の抵抗分割回路を使用して 15 V レベルに制御することもできます。
仕様
最大スイッチング周波数 (kHz) | 75.00 kHz |
IGBT 電圧クラス | 1200 V |
技術 | SCALE-iDriver |
インターフェイスタイプ | 電気 |
チャネル数 | 1 |
ゲートピーク電流(最大) | +2 A |
製品タイプ | IC |
Product Sub-Type | ドライバ IC |
サポートされているモジュールタイプ |
IGBT
NチャネルMOSFET
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メイン/周辺 | N/A |
サポートされているトポロジ |
2レベル電圧源
3レベルNPクランプ - タイプ1
3レベルNPクランプ - タイプ2
多レベルNPクランプ
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保護機能 |
基本アクティブクランピング
高度ソフトシャットダウン
動的高度アクティブクランピング
短絡
低電圧(セカンダリ側)
低電圧(プライマリ側)
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ドライブモード | 直接独立型 |
ロジック入力電圧 | 5 |
供給電圧 (標準) | 5.00 V |
時間 - 出力の上昇 | 22.00 ns |
時間 - 出力低下 | 18.00 ns |
分離技術 | Fluxlink |
隔離タイプ | 強化型 |
ゲートピーク電流(最小) | -2 |