SID1152K
優れた安全特性と保護機能を提供するガルバニック絶縁されたシングルチャネル ゲート ドライバ IC
これは、新しい設計には推奨されないアクティブ製品です。
アプリケーション
製品詳細
SID11x2K は、標準 eSOP パッケージに組み込まれたシングル チャンネル IGBT 及び MOSFET ドライバです。強化されたガルバニック絶縁は、Power Integrations の革新的��固体絶縁 FluxLink 技術を使用することにより、実現されます。最大 8 A のピーク出力ドライブ電流により、この製品はアクティブ コンポーネントの追加を必要とせずに最大 600 A (標準) でデバイスを駆動できます。必要なゲート電流が SID11x2K の単独で供給可能な性能を超える大電流スイッチング半導体に対しては、外部アンプ (ブースター) を追加することもできます。ゲート制御のための安定した正負の電圧は、単一の単極絶縁電圧ソースによって供給されます。
高度なソフト シャット ダウン (ASSD) を含む短絡保護 (DESAT)、一次側/二次側のための低電圧ロックアウト (UVLO)、温度とプロセスで補正された出力インピーダンスを含むレイルツーレイル出力などの追加機能により、過酷な状況においても安全な動作が保証されます。
コントローラ (PWM と異常) 信号は 5 V の CMOS ロジックと互換性があり、外部の抵抗分割回路を使用すると 15 V レベルに調整できます。
仕様
最大スイッチング周波数 (kHz) | 250.00 kHz |
IGBT 電圧クラス | 1200 V |
技術 | SCALE-iDriver |
インターフェイスタイプ | 電気 |
チャネル数 | 1 |
ゲートピーク電流(最大) | +5 A |
製品タイプ | IC |
Product Sub-Type | ドライバ IC |
サポートされているモジュールタイプ |
IGBT
NチャネルMOSFET
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メイン/周辺 | N/A |
サポートされているトポロジ |
2レベル電圧源
3レベルNPクランプ - タイプ1
3レベルNPクランプ - タイプ2
多レベルNPクランプ
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保護機能 |
基本アクティブクランピング
高度ソフトシャットダウン
動的高度アクティブクランピング
短絡
低電圧(セカンダリ側)
低電圧(プライマリ側)
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ドライブモード | 直接独立型 |
ロジック入力電圧 | 5 |
供給電圧 (標準) | 5.00 V |
時間 - 出力の上昇 | 22.00 ns |
時間 - 出力低下 | 18.00 ns |
分離技術 | Fluxlink |
隔離タイプ | 強化型 |
ゲートピーク電流(最小) | -5 |