SID1181K
最大 650 V のブロック電圧で強化絶縁を提供する最大 8 A のシングル チャンネル IGBT/MOSFET ゲート ドライバ
これは、新しい設計には推奨されないアクティブ製品です。
アプリケーション
製品詳細
SID11x1K は、eSOP パッケージに組み込まれたシングル チャンネル IGBT 及び MOSFET ドライバです。強化絶縁は、Power Integrations の革新的で堅牢な絶縁技術である FluxLink によって実現されます。8 A のピーク出力ドライブ電流により、アクティブ部品を追加せずに最大 600 A (標準) までのデバイスを駆動できます。SID11x1K 単独で駆動できるドライブ容量を超える場合は、外部アンプ (ブースター) を追加することもできます。ゲート制御のための安定した正負の電圧は、絶縁された単一電圧によって供給されます。
アドバンスト ソフト シャット ダウン (ASSD) を含む短絡保護 (DESAT)、一次側及び二次側のための低電圧ロックアウト (UVLO)、温度及びプロセス補正された出力インピーダンスを有するレイルツーレイル出力などの追加機能により、過酷な状況においても安全な動作が保証されます。
コントローラ (PWM と異常) 信号は 5 V CMOS ロジックに対応し、外部の抵抗分割回路を使用すると 15 V レベルに調整することもできます。
仕様
| 最大スイッチング周波数 (kHz) | 75.00 kHz |
| IGBT 電圧クラス | 1200 V |
| 技術 | SCALE-iDriver |
| インターフェイスタイプ | 電気 |
| チャネル数 | 1 |
| ゲートピーク電流（最大） | +8 A |
| 製品タイプ | IC |
| Product Sub-Type | ドライバ IC |
| サポートされているモジュールタイプ |
IGBT
NチャネルMOSFET
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| メイン/周辺 | N/A |
| サポートされているトポロジ |
2レベル電圧源
3レベルNPクランプ - タイプ1
3レベルNPクランプ - タイプ2
多レベルNPクランプ
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| 保護機能 |
基本アクティブクランピング
高度ソフトシャットダウン
動的高度アクティブクランピング
短絡
低電圧（セカンダリ側）
低電圧（プライマリ側）
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| ドライブモード | 直接独立型 |
| ロジック入力電圧 | 5 |
| 供給電圧 (標準) | 5.00 V |
| 時間 - 出力の上昇 | 22.00 ns |
| 時間 - 出力低下 | 18.00 ns |
| 分離技術 | Fluxlink |
| 隔離タイプ | 基本 |
| ゲートピーク電流（最小） | -8 |
