SIC118xKQ
アドバンスト アクティブ クランプ (AAC) 及び 最大 1200 V の強化絶縁に 対応した最大 8 A の車載用シングルチャンネル シリコン カーバイド (SiC) MOSFET 及び IGBT ゲート ドライバ
これは、新しい設計には推奨されないアクティブ製品です。
アプリケーション
製品詳細
SIC1181KQ と SIC1182KQ は、SiC MOSFET 用のシングル チャネル ゲートドライバです。ガルバニック強化絶縁は、Power Integrations の革新的で堅牢な絶縁技術である FluxLink 技術によって実現されます。最大 ±8 A の
ピーク出力ドライブ電流により、定格電流 600/800 A (typ.) までのデバイスを駆動できます。
一次側及び二次側の低電圧ロックアウト (UVLO)、温度及びプロセス補正された出力インピーダンスを有するレイルツーレイル出力などの追加機能により、過酷な状況においても安全な動作が保証されます。
さらに、このゲート ドライバ IC には、短絡保護 (オン期間及びターンオン時) 及び 1 つのセンス ピンで実現できる AAC (アドバンストアクティブクランプ) (ターンオフ時) による過電圧制限機能を有します。電流センス端子がある SIC MOSFET では、調整可能な過電流検出機能を実現できます。
高集積化、コンパクトな実装
- ±8 A のピーク ゲート出力電流
- 強化絶縁を実現する内蔵 FluxLink™ 技術
- SiC MOSFET 向けに最適化されたアドバンスト アクティブ クランプ
- 超高速短絡検出機能
- 一次側及び二次側の UVLO
- レイルツーレイルの安定出力電圧
- 二次側への供給電圧は 1 電源にて対応
- 最大 150 kHz のスイッチング周波数
- ±5 ns の伝搬遅延ジッター
- -40 ℃ ～ +125 ℃ の動作周囲温度
- 優れたコモンモード過渡耐性
- 9.5 mm の沿面及び空間距離、CTI 600 を実現する eSOP パッケージ
保護/安全性
- 異常フィードバックを含む一次側及び二次側の低電圧ロックアウト保護
- 電流センス端子による SiC MOSFET の過電流検出
- 超高速短絡監視、ターンオフ、及びレポート機能
- SiC MOSFET のターンオフ時の過電圧制限
安全規格及び規制に準拠
- 生産ラインでの 100% 部分放電試験
- 生産ラインでの 100％ HIPOT (8000 V ピーク、1 秒) 準拠試験
- 強化絶縁：VDE 0884-11 規格認定申請中
- UL 1577 認定申請中
- 自動車グレード レベル 1 の AEC Q-100 認定申請中
グリーン パッケージ
- ハロゲン化合物不使用、RoHS 指令適合
用途
- 電気自動車 (BEV) のトラクション ドライブ
- ハイブリッド電気自動車 (PHEV) のトラクション ドライブ
- 電気自動車の車載及び車外充電器
