SIC1182KQ
アドバンスト アクティブ クランプ (AAC) 及び 最大 1200 V の強化絶縁に 対応した最大 8 A の車載用シングルチャンネル シリコン カーバイド (SiC) MOSFET 及び IGBT ゲート ドライバ
これは、新しい設計には推奨されないアクティブ製品です。
アプリケーション
製品詳細
SIC1181KQ と SIC1182KQ は、SiC MOSFET 用のシングル チャネル ゲートドライバです。ガルバニック強化絶縁は、Power Integrations の革新的で堅牢な絶縁技術である FluxLink 技術によって実現されます。最大 ±8 A の
ピーク出力ドライブ電流により、定格電流 600/800 A (typ.) までのデバイスを駆動できます。
一次側及び二次側の低電圧ロックアウト (UVLO)、温度及びプロセス補正された出力インピーダンスを有するレイルツーレイル出力などの追加機能により、過酷な状況においても安全な動作が保証されます。
さらに、このゲート ドライバ IC には、短絡保護 (オン期間及びターンオン時) 及び 1 つのセンス ピンで実現できる AAC (アドバンストアクティブクランプ) (ターンオフ時) による過電圧制限機能を有します。電流センス端子がある SIC MOSFET では、調整可能な過電流検出機能を実現できます。
仕様
| 最大スイッチング周波数 (kHz) | 150.00 kHz |
| IGBT 電圧クラス | 1200 V |
| 技術 | SCALE-iDriver |
| インターフェイスタイプ | 電気 |
| チャネル数 | 1 |
| ゲートピーク電流（最大） | +8 A |
| 製品タイプ | IC |
| Product Sub-Type | ドライバ IC |
| サポートされているモジュールタイプ |
IGBT
炭化ケイ素
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| メイン/周辺 | N/A |
| サポートされているトポロジ |
2レベル電圧源
3レベルNPクランプ - タイプ1
3レベルNPクランプ - タイプ2
多レベルNPクランプ
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| 保護機能 |
高度アクティブクランピング
動的高度アクティブクランピング
短絡
低電圧（セカンダリ側）
低電圧（プライマリ側）
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| ドライブモード | 直接独立型 |
| ロジック入力電圧 | 5 |
| 供給電圧 (標準) | 5.00 V |
| 時間 - 出力の上昇 | 22.00 ns |
| 時間 - 出力低下 | 18.00 ns |
| 分離技術 | Fluxlink |
| 隔離タイプ | 強化型 |
| ゲートピーク電流（最小） | -8 |
