2SP0230
Gate Driver for Driving 62mm SiC-MOSFET and Si-IGBT modules up to 1700 V via Electrical Interface
アプリケーション
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製品
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データ シート
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IGBT 電圧クラス
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モジュールハウジング
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サポートされているモジュール
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IGBTのメーカー
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サポートされているモジュールタイプ
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ゲートターンオン電圧
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ゲートターンオフ電圧
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サポートされているトポロジ
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保護機能
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技術
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供給電圧 (標準)
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出力電力/チャネル-最大
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Connection Type to IGBT
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ドライブモード
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ゲートピーク電流（最大）
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インターフェイスタイプ
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分離技術
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隔離タイプ
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ロジック入力電圧
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最大スイッチング周波数 (kHz)
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チャネル数
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動作温度 - 最小
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動作温度 - 最大
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保管温度（最小）
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保管温度（最大）
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Data Sheet
View Data Sheet
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IGBT Voltage Class
1200 V
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Module Housing
62mm
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Supported Module(s)
2MBI300XHA120-50
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IGBT Manufacturer
Fuji
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Supported Module Type
IGBT
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Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
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Gate Turn-off Voltage
-10.0 V
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Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2
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Protection Features
高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）, 低電圧（プライマリ側）
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Technology
SCALE-2
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Supply Voltage (Typ)
15 V
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Power - Output/Channel (Max)
1.3 W
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Connection Type to IGBT
直接
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Driving Mode
直接独立型
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Gate Peak Current (Max)
+30 A
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Interface Type
電気
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Isolation Technology
ガルバニック
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Isolation Type
強化型
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Logic Input Voltage
15
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Max Switching Frequency
92.0 kHz
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Number of Channels
2
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Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
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Temperature - Operating (Max)
85 ℃
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Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
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Temperature - Storage (Max)
50 ℃
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Data Sheet
View Data Sheet
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IGBT Voltage Class
1700 V
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Module Housing
62mm
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Supported Module(s)
CAS300M17BM2
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IGBT Manufacturer
Wolfspeed
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Supported Module Type
炭化ケイ素
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Gate Turn-on Voltage
+20.0 V
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Gate Turn-off Voltage
-5.0 V
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Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2
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Protection Features
高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）, 低電圧（プライマリ側）
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Technology
SCALE-2
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Supply Voltage (Typ)
15 V
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Power - Output/Channel (Max)
1.3 W
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Connection Type to IGBT
直接
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Driving Mode
直接独立型
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Gate Peak Current (Max)
+30 A
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Interface Type
電気
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Isolation Technology
ガルバニック
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Isolation Type
強化型
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Logic Input Voltage
15
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Max Switching Frequency
92.0 kHz
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Number of Channels
2
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Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
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Temperature - Operating (Max)
85 ℃
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Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
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Temperature - Storage (Max)
50 ℃
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Data Sheet
View Data Sheet
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IGBT Voltage Class
1200 V
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Module Housing
62mm
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Supported Module(s)
CM450DY-24T
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IGBT Manufacturer
Mitsubishi
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Supported Module Type
IGBT
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Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
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Gate Turn-off Voltage
-10.0 V
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Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2
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Protection Features
高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）, 低電圧（プライマリ側）
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Technology
SCALE-2
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Supply Voltage (Typ)
15 V
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Power - Output/Channel (Max)
1.3 W
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Connection Type to IGBT
直接
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Driving Mode
直接独立型
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Gate Peak Current (Max)
+30 A
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Interface Type
電気
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Isolation Technology
ガルバニック
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Isolation Type
強化型
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Logic Input Voltage
15
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Max Switching Frequency
92.0 kHz
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Number of Channels
2
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Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
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Temperature - Operating (Max)
85 ℃
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Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
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Temperature - Storage (Max)
50 ℃
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Data Sheet
View Data Sheet
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IGBT Voltage Class
1200 V
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Module Housing
62mm
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Supported Module(s)
FF200R12KS4
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IGBT Manufacturer
Infineon
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Supported Module Type
IGBT
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Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
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Gate Turn-off Voltage
-10.0 V
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Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2
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Protection Features
高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）, 低電圧（プライマリ側）
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Technology
SCALE-2
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Supply Voltage (Typ)
15 V
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Power - Output/Channel (Max)
1.3 W
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Connection Type to IGBT
直接
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Driving Mode
直接独立型
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Gate Peak Current (Max)
+30 A
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Interface Type
電気
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Isolation Technology
ガルバニック
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Isolation Type
強化型
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Logic Input Voltage
15
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Max Switching Frequency
92.0 kHz
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Number of Channels
2
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Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
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Temperature - Operating (Max)
85 ℃
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Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
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Temperature - Storage (Max)
50 ℃
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製品詳細
The Plug-and-Play 2SP0230T2x0 gate driver family is a compact double-channel gate driver designed for the operation of 62 mm half-bridge SiC and IGBT power modules up to 1700 V. The drivers feature electrical interface with built-in DC/DC power supplies. Power Integrations’ Advanced Active Clamping allows to turn-off safely within an extended DC-link voltage range.
This board requires a signal interface (Molex 53258-1029), available for order from Avnet, Digikey or Mouser.
Product Highlights
Highly Integrated, Compact Footprint
- Ready-to-use gate driver solution for 62 mm half-bridge SiC and IGBT power modules
- Dual channel gate driver
- Electrical interface
- The clearance and creepage distances are defined according to IEC60077-1 providing reinforced insulation up to 1700 V blocking voltage in 2-level applications and basic insulation for 3-level applications using modules up to 1200 V blocking voltage
- ±30 A peak output gate current
- 1.3 W output power per channel at maximum ambient temperature
- -40 °C to 85 °C operating ambient temperature
Protection / Safety Features
- Short-circuit protection
- Advanced Active Clamping (AAC)
- Undervoltage lock-out (UVLO) protection
- RoHS compliant
