解决方案查找器 技術支援

白皮書 - 超越 1200 V:用於高可靠性電動汽車和工業應用的橫向 GaN HEMTs

PI 首創採用 1250 V 氮化鎵的電源開關 IC,具有顯著的瞬態過電壓能力,這對於需要高電壓和高可靠性的電動汽車及工業應用至關重要。在 2024 年 PCIM Europe 展會上,我們的 PowiGaN 專家 Kamal Varadarajan 深度分享這一開創性技術。

下載白皮書:Reaching Beyond 1200 V: Lateral GaN HEMTs for High-Reliability EV and Industrial Applications 

應用

相關影片

PowiGaN - Quality, Robustness and Reliability

Power Integrations has full control over the manufacturing process of its PowiGaN devices, which includes extensive tests specifically designed to ensure the initial quality, robustness and long-term reliability of our...