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SID1102K是采用eSOP宽体封装的单通道IGBT和MOSFET门极驱动器。该器件利用Power Integrations创新的固体绝缘FluxLink™技术实现了加强绝缘。其峰值输出驱动电流可达5A，可直接驱动300A以下的开关器件。推动级适用于超过5A的门极驱动器要求，AUXGL和AUXGH输出管脚可驱动60A的外部N沟道MOSFET。
控制器(PWM)信号兼容5V CMOS逻辑电平，使用外部分压电阻还可将逻辑电平调整到15V。副方电压��理提供+15V至-10V的双极门极驱动器电压，同时只需要一个+25V的单极电压。芯片内部的Vee稳压器对+15V门极驱动电压提供调整。欠压保护可关断门极信号，使IGBT或MOSFET保持安全工作。
- IGBT门极驱动器具有更宽、更灵活的应用范围，可驱动1200V以内的IGBT模块并提供50A至3600A的IGBT电流。
- 单通道可在不使用推动级的情况下提供5A峰值门极驱动电流
- 外部上管和下管N沟通推动级的辅助输出可将峰值驱动电流增至60A
- 欠压保护
- 集成的FluxLink技术为原方与副方提供可靠绝缘
- 轨到轨输出电压且稳压
- 副方单电源供电
- 适合600V/650V/1200V IGBT和MOSFET功率开关
- 开关频率最高至75kHz
- 传输延迟抖动为±5ns
- 工作环境温度介于-40°C至125°C之间
- 具有较高的共模瞬态抗扰性
- 采用9.5mm电气间隙和爬电距离的eSOP封装
