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SID1181K

最大 650 V のブロック電圧で強化絶縁を提供する最大 8 A のシングル チャンネル IGBT/MOSFET ゲート ドライバ

これは、新しい設計には推奨されないアクティブ製品です。
アプリケーション

製品詳細

SID11x1K は、eSOP パッケージに組み込まれたシングル チャンネル IGBT 及び MOSFET ドライバです。強化絶縁は、Power Integrations の革新的で堅牢な絶縁技術である FluxLink によって実現されます。8 A のピーク出力ドライブ電流により、アクティブ部品を追加せずに最大 600 A (標準) までのデバイスを駆動できます。SID11x1K 単独で駆動できるドライブ容量を超える場合は、外部アンプ (ブースター) を追加することもできます。ゲート制御のための安定した正負の電圧は、絶縁された単一電圧によって供給されます。

アドバンスト ソフト シャット ダウン (ASSD) を含む短絡保護 (DESAT)、一次側及び二次側のための低電圧ロックアウト (UVLO)、温度及びプロセス補正された出力インピーダンスを有するレイルツーレイル出力などの追加機能により、過酷な状況においても安全な動作が保証されます。

コントローラ (PWM と異常) 信号は 5 V CMOS ロジックに対応し、外部の抵抗分割回路を使用すると 15 V レベルに調整することもできます。

仕様

仕様
最大スイッチング周波数 (kHz) 75.00 kHz
IGBT 電圧クラス 1200 V
技術 SCALE-iDriver
インターフェイスタイプ 電気
チャネル数 1
ゲートピーク電流(最大) +8 A
製品タイプ IC
Product Sub-Type ドライバ IC
サポートされているモジュールタイプ
IGBT
NチャネルMOSFET
メイン/周辺 N/A
サポートされているトポロジ
2レベル電圧源
3レベルNPクランプ - タイプ1
3レベルNPクランプ - タイプ2
多レベルNPクランプ
保護機能
基本アクティブクランピング
高度ソフトシャットダウン
動的高度アクティブクランピング
短絡
低電圧(セカンダリ側)
低電圧(プライマリ側)
ドライブモード 直接独立型
ロジック入力電圧 5
供給電圧 (標準) 5.00 V
時間 - 出力の上昇 22.00 ns
時間 - 出力低下 18.00 ns
分離技術 Fluxlink
隔離タイプ 基本
ゲートピーク電流(最小) -8

リソース