SID11x1K
최대 650V 블로킹 전압의 강화된 갈바닉 절연 성능을 갖춘 최대 8A의 단일 채널 IGBT/MOSFET 게이트 드라이버
애플리케이션
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제품
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데이터 시트
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IGBT 전압 등급
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게이트 피크 전류 (최대)
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최대 스위칭 주파수
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지원되는 모듈 유형
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논리 입력 전압
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보호 기능
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기술
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인터페이스 유형
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지원되는 토폴로지
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공급 전압 (일반)
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격리 유형
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격리 기술
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시간 - 출력 상승
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시간 - 출력 하락
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드라이브 모드
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메인 / 주변
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병렬 지원?
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Data Sheet
View Data Sheet
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IGBT Voltage Class
1200 V
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Gate Peak Current (Max)
+5 A
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Max Switching Frequency
75.0 kHz
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Supported Module Type
IGBT, N채널 MOSFET
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Logic Input Voltage
5
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Protection Features
기본 능동 클램핑, 고급 소프트 셧다운, 동적 고급 능동 클램핑, 단락, 저전압 (2차측), 저전압 (1차측)
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Technology
SCALE-iDriver
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Interface Type
전기
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Supported Topologies
2단계 전압 소스, 3단계 NP 클램프 - 유형 1, 3단계 NP 클램프 - 유형 2, 다단계 NP 클램프
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Supply Voltage (Typ)
5 V
|
Isolation Type
기본
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Isolation Technology
Fluxlink
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Time - Output Rise
22 ns
|
Time - Output Fall
18 ns
|
Driving Mode
직접 독립형
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Main/Peripheral
해당 없음
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Paralleling Support?
No
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Data Sheet
View Data Sheet
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IGBT Voltage Class
1200 V
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Gate Peak Current (Max)
+8 A
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Max Switching Frequency
75.0 kHz
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Supported Module Type
IGBT, N채널 MOSFET
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Logic Input Voltage
5
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Protection Features
기본 능동 클램핑, 고급 소프트 셧다운, 동적 고급 능동 클램핑, 단락, 저전압 (2차측), 저전압 (1차측)
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Technology
SCALE-iDriver
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Interface Type
전기
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Supported Topologies
2단계 전압 소스, 3단계 NP 클램프 - 유형 1, 3단계 NP 클램프 - 유형 2, 다단계 NP 클램프
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Supply Voltage (Typ)
5 V
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Isolation Type
기본
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Isolation Technology
Fluxlink
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Time - Output Rise
22 ns
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Time - Output Fall
18 ns
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Driving Mode
직접 독립형
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Main/Peripheral
해당 없음
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Paralleling Support?
No
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제품 상세 정보
SID11x1K는 eSOP 패키지의 단일 채널 IGBT 및 MOSFET 드라이버입니다. 강화된 갈바닉 절연 성능은 파워 인테그레이션스(Power Integrations)의 혁신적인 고체 절연물 FluxLink 기술에 의해 제공됩니다. 8A의 피크 출력 드라이브 전류 덕분에 추가적인 부품 없이도 최대 600A(기본값)로 디바이스를 구동하는 제품을 제작할 수 있습니다. SID11x1K의 단독 용 량을 초과하는 게이트 드라이브 요건의 경우, 외장 증폭기(부스터)를 추가할 수 있습니다. 하나의 유니폴라 절연 전압 소스가 게이트 제어를 위한 안정적인 플러스 및 마이너스 전압을 제공합니다.
ASSD(Advanced Soft Shut Down)를 사용한 회로 단락 보호(DESAT), 1차측 및 2차측의 저전압 록아웃(UVLO), 온도 및 프로세스 보정 출력 임피 던스를 갖는 rail-to-rail 출력 등의 추가 기능은 혹독한 상황에서도 안전 한 작동을 보장합니다.
컨트롤러(PWM 및 고장) 신호는 5V CMOS 로직과 호환되며, 외부 저항 분배기를 사용할 경우 전압이 15V 수준까지 조정될 수도 있습니다.
높은 집적도, 작은 공간
- 출력을 분할하여 최대 8A의 피크 드라이브 전류 제공
- 통합 FluxLink™ 기술
- Rail-to-rail 안정된 출력 전압
- 2차측을 위한 유니폴라 공급 전압
- 600V/650V/1200V IGBT 및 MOSFET 스위치에 적합
- 최대 1200V 블로킹 전압의 기본 절연 성능 제공
- 최대 75kHz 스위칭 주파수
- 260ns의 짧은 전파 지연 시간
- 전파 지연 지터 ±5ns
- -40 ~ +125°C의 작동 주변 온도
- 높은 커먼 모드 과도 응답 내성
- 9.5mm의 연면거리 및 공간거리를 갖는 eSOP 패키지
고급 보호 및 안전 기능
- 1차측 및 2차측의 저전압 록아웃(UVLO) 보호와 고장 피드백
- VCESAT 모니터링을 통한 회로 단락 보호 기능과 고장 피드백
- ASSD(Advanced Soft Shut Down)
높은 안전성 및 규정 준수
- 100% 생산 부분 방전 테스트
- 6kV RMS/1초에서 100% 생산 HIPOT 준수 테스트
- VDE 0884-10을 충족하는 강화된 절연 성능
친환경 패키지
- 할로겐 프리 및 RoHS 준수
