SIC118xKQ
향상된 액티브 클램핑 및 최대 1200V의 강화 절연을 제 공하는 자동차 애플리케이션용 최대 8A 단일 채널 SiC MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버
이 제품은 새로운 설계에 권장되지 않습니다.
애플리케이션
제품 상세 정보
SIC1181KQ 및 SIC1182KQ는 SiC MOSFET용 단일 채널 게이트 드라이버 입니다. 강화된 갈바닉 절연은 파워 인테그레이션스(Power Integrations)의 혁신적인 고체 절연체 FluxLink 기술로 제공됩니다. 최대 ±8A 피크 출 력 드라이브 전류는 제품이 최대 600/800A(일반)의 정격 전류로 장치를 구동할 수 있게 합니다.
1차측 및 2차측에 대한 저전압 록아웃(UVLO), 온도 및 프로세스 보정 출 력 임피던스를 갖는 rail-to-rail 출력 등의 추가 기능은 혹독한 상황에서 도 안전한 작동을 보장합니다.
또한, 이 게이트 드라이버 IC는 단일 센싱 핀을 통해 AAC 향상된 액티브 클램핑(턴오프 단계 동안)으로 수행되는 과전압 제한 뿐만 아니라 회로 단락 보호(턴온 단계 동안) 기능을 제공합니다. SIC MOSFET에 전류 센 싱 단자가 공급되면 조정 가능한 과전류 감지가 실현될 수 있습니다.
높은 집적도, 작은 공간
- ±8A 피크 게이트 출력 전류
- 강화된 절연 기능을 탑재한 FluxLink™ 기술 통합
- SiC MOSFET이 최적화된 향상된 액티브 클램핑
- 초고속 회로 단락 감지
- UVLO 1차측 및 2차측
- Rail-to-rail 안정된 출력 전압
- 2차측을 위한 유니폴라 공급 전압
- 최대 150kHz 스위칭 주파수
- 전파 지연 지터 ±5ns
- -40°C ~ +125°C의 작동 주변 온도
- 높은 커먼 모드 과도 응답 내성
- 9.5mm의 연면거리 및 공간거리, CTI 600을 갖는 eSOP 패키지
보호/안전 기능
- 고장 피드백을 포함하는 1차측 및 2차측 관련 저전압 차단 기능
- 전류 센싱 단자가 포함된 SiC MOSFET의 과전류 감지
- 초고속 회로 단락 모니터링, 턴오프 및 리포팅
- SiC MOSFET 턴오프 중 과전압 제한
높은 안전성 및 규정 준수
- 100% 생산 부분 방전 테스트
- 1초 동안의 8000V 피크에서 100% 생산 HIPOT 준수 테스트
- 강화된 절연 기능의 VDE V 0884-11 인증 대기 중
- UL 1577 승인 대기 중
- 자동차 1등급 AEC Q-100 인증 대기 중
친환경 패키지
- 할로겐 프리 및 RoHS 준수
애플리케이션
- 전기 자동차 BEV 트랙션 드라이브
- 하이브리드 전기 자동차 PHEV 트랙션 드라이브
- 전기 자동차 온보드 및 오프보드 충전기
