|
製品
|
データ シート
|
IGBT 電圧クラス
|
最大スイッチング周波数 (kHz)
|
出力電力/チャネル-最大
|
供給電圧 (標準)
|
電圧 - DCリンクオフ状態、60秒
|
隔離タイプ
|
サポートされているモジュールタイプ
|
サポートされているモジュール
|
IGBTのメーカー
|
樹脂コーティング？
|
チャネル数
|
メイン/周辺
|
保護機能
|
技術
|
サポートされているトポロジ
|
インターフェイスタイプ
|
ゲートターンオン電圧
|
ゲートターンオフ電圧
|
ゲートピーク電流（最大）
|
分離技術
|
時間 - 出力低下
|
時間 - 出力の上昇
|
ドライブモード
|
動作温度 - 最小
|
動作温度 - 最大
|
保管温度（最小）
|
保管温度（最大）
|
Connection Type to IGBT
|
並列サポート？
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
3300 V
|
Max Switching Frequency
10.0 kHz
|
Power - Output/Channel (Max)
3.0 W
|
Supply Voltage (Typ)
16 V
|
Voltage - DC Link Off state (60s)
2700 V
|
Isolation Type
基本
|
Supported Module Type
IGBT
|
Supported Module(s)
FZ825R33HE4D
|
IGBT Manufacturer
Infineon
|
Conformal Coated?
Yes
|
Number of Channels
1
|
Main/Peripheral
メイン
|
Protection Features
動的高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）
|
Technology
SCALE-2
|
Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
|
Interface Type
光ファイバー
|
Gate Turn-on Voltage
+13.0 V
|
Gate Turn-off Voltage
--7.6 V
|
Gate Peak Current (Max)
+35 A
|
Isolation Technology
ガルバニック
|
Time - Output Fall
30 ns
|
Time - Output Rise
9 ns
|
Driving Mode
直接独立型
|
|
|
|
|
Connection Type to IGBT
直接
|
Paralleling Support?
No
|
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
3300 V
|
Max Switching Frequency
10.0 kHz
|
Power - Output/Channel (Max)
3.0 W
|
Supply Voltage (Typ)
15 V
|
Voltage - DC Link Off state (60s)
2700 V
|
Isolation Type
基本
|
Supported Module Type
IGBT
|
Supported Module(s)
MBN1000E33E2
|
IGBT Manufacturer
Hitachi
|
Conformal Coated?
Yes
|
Number of Channels
1
|
Main/Peripheral
メイン
|
Protection Features
動的高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）
|
Technology
SCALE-2
|
Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
|
Interface Type
光ファイバー
|
Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
|
Gate Turn-off Voltage
--10.1 V
|
Gate Peak Current (Max)
+35 A
|
Isolation Technology
ガルバニック
|
Time - Output Fall
30 ns
|
Time - Output Rise
9 ns
|
Driving Mode
直接独立型
|
Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Operating (Max)
85 ℃
|
Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Storage (Max)
50 ℃
|
Connection Type to IGBT
直接
|
Paralleling Support?
No
|
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
3300 V
|
Max Switching Frequency
10.0 kHz
|
Power - Output/Channel (Max)
3.0 W
|
Supply Voltage (Typ)
15 V
|
Voltage - DC Link Off state (60s)
2700 V
|
Isolation Type
基本
|
Supported Module Type
IGBT
|
Supported Module(s)
MBN1200E33D
|
IGBT Manufacturer
Hitachi
|
Conformal Coated?
Yes
|
Number of Channels
1
|
Main/Peripheral
メイン
|
Protection Features
動的高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）
|
Technology
SCALE-2
|
Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
|
Interface Type
光ファイバー
|
Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
|
Gate Turn-off Voltage
--10.1 V
|
Gate Peak Current (Max)
+35 A
|
Isolation Technology
ガルバニック
|
Time - Output Fall
30 ns
|
Time - Output Rise
9 ns
|
Driving Mode
直接独立型
|
Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Operating (Max)
85 ℃
|
Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Storage (Max)
50 ℃
|
Connection Type to IGBT
直接
|
Paralleling Support?
No
|
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
3300 V
|
Max Switching Frequency
13.0 kHz
|
Power - Output/Channel (Max)
3.0 W
|
Supply Voltage (Typ)
15 V
|
Voltage - DC Link Off state (60s)
2700 V
|
Isolation Type
基本
|
Supported Module Type
IGBT
|
Supported Module(s)
MBN1200E33E
|
IGBT Manufacturer
Hitachi
|
Conformal Coated?
Yes
|
Number of Channels
1
|
Main/Peripheral
メイン
|
Protection Features
動的高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）
|
Technology
SCALE-2
|
Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
|
Interface Type
光ファイバー
|
Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
|
Gate Turn-off Voltage
--10.1 V
|
Gate Peak Current (Max)
+35 A
|
Isolation Technology
ガルバニック
|
Time - Output Fall
30 ns
|
Time - Output Rise
9 ns
|
Driving Mode
直接独立型
|
Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Operating (Max)
85 ℃
|
Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Storage (Max)
50 ℃
|
Connection Type to IGBT
直接
|
Paralleling Support?
No
|
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
3300 V
|
Max Switching Frequency
15.0 kHz
|
Power - Output/Channel (Max)
3.0 W
|
Supply Voltage (Typ)
15 V
|
Voltage - DC Link Off state (60s)
2700 V
|
Isolation Type
基本
|
Supported Module Type
IGBT
|
Supported Module(s)
MBN1200F33F
|
IGBT Manufacturer
Hitachi
|
Conformal Coated?
Yes
|
Number of Channels
1
|
Main/Peripheral
メイン
|
Protection Features
動的高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）
|
Technology
SCALE-2
|
Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
|
Interface Type
光ファイバー
|
Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
|
Gate Turn-off Voltage
--10.1 V
|
Gate Peak Current (Max)
+35 A
|
Isolation Technology
ガルバニック
|
Time - Output Fall
30 ns
|
Time - Output Rise
9 ns
|
Driving Mode
直接独立型
|
Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Operating (Max)
85 ℃
|
Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Storage (Max)
50 ℃
|
Connection Type to IGBT
直接
|
Paralleling Support?
No
|
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
3300 V
|
Max Switching Frequency
6.0 kHz
|
Power - Output/Channel (Max)
3.0 W
|
Supply Voltage (Typ)
15 V
|
Voltage - DC Link Off state (60s)
2700 V
|
Isolation Type
基本
|
Supported Module Type
IGBT
|
Supported Module(s)
MBN1500E33E2
|
IGBT Manufacturer
Hitachi
|
Conformal Coated?
Yes
|
Number of Channels
1
|
Main/Peripheral
メイン
|
Protection Features
動的高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）
|
Technology
SCALE-2
|
Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
|
Interface Type
光ファイバー
|
Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
|
Gate Turn-off Voltage
--10.1 V
|
Gate Peak Current (Max)
+35 A
|
Isolation Technology
ガルバニック
|
Time - Output Fall
30 ns
|
Time - Output Rise
9 ns
|
Driving Mode
直接独立型
|
Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Operating (Max)
85 ℃
|
Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Storage (Max)
50 ℃
|
Connection Type to IGBT
直接
|
Paralleling Support?
No
|
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
3300 V
|
Max Switching Frequency
11.0 kHz
|
Power - Output/Channel (Max)
3.0 W
|
Supply Voltage (Typ)
15 V
|
Voltage - DC Link Off state (60s)
2700 V
|
Isolation Type
基本
|
Supported Module Type
IGBT
|
Supported Module(s)
MBN1800F33F
|
IGBT Manufacturer
Hitachi
|
Conformal Coated?
Yes
|
Number of Channels
1
|
Main/Peripheral
メイン
|
Protection Features
動的高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）
|
Technology
SCALE-2
|
Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
|
Interface Type
光ファイバー
|
Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
|
Gate Turn-off Voltage
--10.1 V
|
Gate Peak Current (Max)
+35 A
|
Isolation Technology
ガルバニック
|
Time - Output Fall
30 ns
|
Time - Output Rise
9 ns
|
Driving Mode
直接独立型
|
Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Operating (Max)
85 ℃
|
Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Storage (Max)
50 ℃
|
Connection Type to IGBT
直接
|
Paralleling Support?
No
|
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
3300 V
|
Max Switching Frequency
7.2 kHz
|
Power - Output/Channel (Max)
3.0 W
|
Supply Voltage (Typ)
15 V
|
Voltage - DC Link Off state (60s)
2700 V
|
Isolation Type
基本
|
Supported Module Type
IGBT
|
Supported Module(s)
MG1500FXF1US62
|
IGBT Manufacturer
Toshiba
|
Conformal Coated?
Yes
|
Number of Channels
1
|
Main/Peripheral
メイン
|
Protection Features
動的高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）
|
Technology
SCALE-2
|
Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
|
Interface Type
光ファイバー
|
Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
|
Gate Turn-off Voltage
--10.1 V
|
Gate Peak Current (Max)
+35 A
|
Isolation Technology
ガルバニック
|
Time - Output Fall
30 ns
|
Time - Output Rise
9 ns
|
Driving Mode
直接独立型
|
Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Operating (Max)
85 ℃
|
Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Storage (Max)
50 ℃
|
Connection Type to IGBT
直接
|
Paralleling Support?
No
|
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
3300 V
|
Max Switching Frequency
6.4 kHz
|
Power - Output/Channel (Max)
3.0 W
|
Supply Voltage (Typ)
15 V
|
Voltage - DC Link Off state (60s)
2700 V
|
Isolation Type
基本
|
Supported Module Type
IGBT
|
Supported Module(s)
TIM1500ESM33-PSA012
|
IGBT Manufacturer
CRRC
|
Conformal Coated?
Yes
|
Number of Channels
1
|
Main/Peripheral
メイン
|
Protection Features
動的高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）
|
Technology
SCALE-2
|
Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
|
Interface Type
光ファイバー
|
Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
|
Gate Turn-off Voltage
--10.1 V
|
Gate Peak Current (Max)
+35 A
|
Isolation Technology
ガルバニック
|
Time - Output Fall
30 ns
|
Time - Output Rise
9 ns
|
Driving Mode
直接独立型
|
Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Operating (Max)
85 ℃
|
Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Storage (Max)
50 ℃
|
Connection Type to IGBT
直接
|
Paralleling Support?
No
|
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
3300 V
|
Max Switching Frequency
7.4 kHz
|
Power - Output/Channel (Max)
3.0 W
|
Supply Voltage (Typ)
15 V
|
Voltage - DC Link Off state (60s)
2700 V
|
Isolation Type
基本
|
Supported Module Type
IGBT
|
Supported Module(s)
YMIF1500-33
|
IGBT Manufacturer
CNR
|
Conformal Coated?
Yes
|
Number of Channels
1
|
Main/Peripheral
メイン
|
Protection Features
動的高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）
|
Technology
SCALE-2
|
Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
|
Interface Type
光ファイバー
|
Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
|
Gate Turn-off Voltage
--10.1 V
|
Gate Peak Current (Max)
+35 A
|
Isolation Technology
ガルバニック
|
Time - Output Fall
30 ns
|
Time - Output Rise
9 ns
|
Driving Mode
直接独立型
|
Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Operating (Max)
85 ℃
|
Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Storage (Max)
50 ℃
|
Connection Type to IGBT
直接
|
Paralleling Support?
No
|
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
1200 V
|
|
Power - Output/Channel (Max)
3.0 W
|
Supply Voltage (Typ)
15 V
|
Voltage - DC Link Off state (60s)
950 V
|
Isolation Type
強化型
|
Supported Module Type
IGBT
|
|
|
Conformal Coated?
No
|
Number of Channels
1
|
Main/Peripheral
メイン
|
Protection Features
動的高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）
|
Technology
SCALE-2
|
Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
|
Interface Type
光ファイバー
|
Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
|
Gate Turn-off Voltage
--10.1 V
|
Gate Peak Current (Max)
+35 A
|
Isolation Technology
ガルバニック
|
Time - Output Fall
30 ns
|
Time - Output Rise
9 ns
|
Driving Mode
直接独立型
|
Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Operating (Max)
85 ℃
|
Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Storage (Max)
90 ℃
|
Connection Type to IGBT
直接
|
Paralleling Support?
No
|
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
1700 V
|
|
Power - Output/Channel (Max)
3.0 W
|
Supply Voltage (Typ)
15 V
|
Voltage - DC Link Off state (60s)
1480 V
|
Isolation Type
強化型
|
Supported Module Type
IGBT
|
|
|
Conformal Coated?
No
|
Number of Channels
1
|
Main/Peripheral
メイン
|
Protection Features
動的高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）
|
Technology
SCALE-2
|
Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
|
Interface Type
光ファイバー
|
Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
|
Gate Turn-off Voltage
--10.1 V
|
Gate Peak Current (Max)
+35 A
|
Isolation Technology
ガルバニック
|
Time - Output Fall
30 ns
|
Time - Output Rise
9 ns
|
Driving Mode
直接独立型
|
Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Operating (Max)
85 ℃
|
Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Storage (Max)
90 ℃
|
Connection Type to IGBT
直接
|
Paralleling Support?
No
|
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
3300 V
|
Max Switching Frequency
8.1 kHz
|
Power - Output/Channel (Max)
3.0 W
|
Supply Voltage (Typ)
15 V
|
Voltage - DC Link Off state (60s)
2700 V
|
Isolation Type
基本
|
Supported Module Type
IGBT
|
Supported Module(s)
1MBI1200UE-330
|
IGBT Manufacturer
Fuji
|
Conformal Coated?
No
|
Number of Channels
1
|
Main/Peripheral
メイン
|
Protection Features
動的高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）
|
Technology
SCALE-2
|
Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
|
Interface Type
光ファイバー
|
Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
|
Gate Turn-off Voltage
--10.1 V
|
Gate Peak Current (Max)
+35 A
|
Isolation Technology
ガルバニック
|
Time - Output Fall
30 ns
|
Time - Output Rise
9 ns
|
Driving Mode
直接独立型
|
Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Operating (Max)
85 ℃
|
Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Storage (Max)
50 ℃
|
Connection Type to IGBT
直接
|
Paralleling Support?
No
|
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
3300 V
|
Max Switching Frequency
7.0 kHz
|
Power - Output/Channel (Max)
3.0 W
|
Supply Voltage (Typ)
15 V
|
Voltage - DC Link Off state (60s)
2700 V
|
Isolation Type
基本
|
Supported Module Type
IGBT
|
Supported Module(s)
1MBI1500UE-330
|
IGBT Manufacturer
Fuji
|
Conformal Coated?
No
|
Number of Channels
1
|
Main/Peripheral
メイン
|
Protection Features
動的高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）
|
Technology
SCALE-2
|
Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
|
Interface Type
光ファイバー
|
Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
|
Gate Turn-off Voltage
--10.1 V
|
Gate Peak Current (Max)
+35 A
|
Isolation Technology
ガルバニック
|
Time - Output Fall
30 ns
|
Time - Output Rise
9 ns
|
Driving Mode
直接独立型
|
Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Operating (Max)
85 ℃
|
Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Storage (Max)
50 ℃
|
Connection Type to IGBT
直接
|
Paralleling Support?
No
|
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
3300 V
|
Max Switching Frequency
5.8 kHz
|
Power - Output/Channel (Max)
3.0 W
|
Supply Voltage (Typ)
15 V
|
Voltage - DC Link Off state (60s)
2700 V
|
Isolation Type
基本
|
Supported Module Type
IGBT
|
Supported Module(s)
1MBI1500UE-330B
|
IGBT Manufacturer
Fuji
|
Conformal Coated?
No
|
Number of Channels
1
|
Main/Peripheral
メイン
|
Protection Features
動的高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）
|
Technology
SCALE-2
|
Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
|
Interface Type
光ファイバー
|
Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
|
Gate Turn-off Voltage
--10.1 V
|
Gate Peak Current (Max)
+35 A
|
Isolation Technology
ガルバニック
|
Time - Output Fall
30 ns
|
Time - Output Rise
9 ns
|
Driving Mode
直接独立型
|
Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Operating (Max)
85 ℃
|
Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Storage (Max)
50 ℃
|
Connection Type to IGBT
直接
|
Paralleling Support?
No
|
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
1200 V
|
Max Switching Frequency
6.7 kHz
|
Power - Output/Channel (Max)
3.0 W
|
Supply Voltage (Typ)
15 V
|
Voltage - DC Link Off state (60s)
950 V
|
Isolation Type
強化型
|
Supported Module Type
IGBT
|
Supported Module(s)
1MBI1600VC-120P
|
IGBT Manufacturer
Fuji
|
Conformal Coated?
No
|
Number of Channels
1
|
Main/Peripheral
メイン
|
Protection Features
動的高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）
|
Technology
SCALE-2
|
Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
|
Interface Type
光ファイバー
|
Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
|
Gate Turn-off Voltage
--10.1 V
|
Gate Peak Current (Max)
+35 A
|
Isolation Technology
ガルバニック
|
Time - Output Fall
30 ns
|
Time - Output Rise
9 ns
|
Driving Mode
直接独立型
|
Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Operating (Max)
85 ℃
|
Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Storage (Max)
50 ℃
|
Connection Type to IGBT
直接
|
Paralleling Support?
No
|
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
1700 V
|
Max Switching Frequency
5.4 kHz
|
Power - Output/Channel (Max)
3.0 W
|
Supply Voltage (Typ)
15 V
|
Voltage - DC Link Off state (60s)
1480 V
|
Isolation Type
強化型
|
Supported Module Type
IGBT
|
Supported Module(s)
1MBI1600VC-170E
|
IGBT Manufacturer
Fuji
|
Conformal Coated?
No
|
Number of Channels
1
|
Main/Peripheral
メイン
|
Protection Features
動的高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）
|
Technology
SCALE-2
|
Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
|
Interface Type
光ファイバー
|
Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
|
Gate Turn-off Voltage
--10.1 V
|
Gate Peak Current (Max)
+35 A
|
Isolation Technology
ガルバニック
|
Time - Output Fall
30 ns
|
Time - Output Rise
9 ns
|
Driving Mode
直接独立型
|
Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Operating (Max)
85 ℃
|
Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Storage (Max)
50 ℃
|
Connection Type to IGBT
直接
|
Paralleling Support?
No
|
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
1700 V
|
Max Switching Frequency
5.9 kHz
|
Power - Output/Channel (Max)
3.0 W
|
Supply Voltage (Typ)
15 V
|
Voltage - DC Link Off state (60s)
1480 V
|
Isolation Type
強化型
|
Supported Module Type
IGBT
|
Supported Module(s)
1MBI1600VR-170E
|
IGBT Manufacturer
Fuji
|
Conformal Coated?
No
|
Number of Channels
1
|
Main/Peripheral
メイン
|
Protection Features
動的高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）
|
Technology
SCALE-2
|
Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
|
Interface Type
光ファイバー
|
Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
|
Gate Turn-off Voltage
--10.1 V
|
Gate Peak Current (Max)
+35 A
|
Isolation Technology
ガルバニック
|
Time - Output Fall
30 ns
|
Time - Output Rise
9 ns
|
Driving Mode
直接独立型
|
Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Operating (Max)
85 ℃
|
Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Storage (Max)
50 ℃
|
Connection Type to IGBT
直接
|
Paralleling Support?
No
|
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
1700 V
|
Max Switching Frequency
2.8 kHz
|
Power - Output/Channel (Max)
3.0 W
|
Supply Voltage (Typ)
15 V
|
Voltage - DC Link Off state (60s)
1480 V
|
Isolation Type
基本
|
Supported Module Type
IGBT
|
Supported Module(s)
1MBI3600VD-170E
|
IGBT Manufacturer
Fuji
|
Conformal Coated?
No
|
Number of Channels
1
|
Main/Peripheral
メイン
|
Protection Features
動的高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）
|
Technology
SCALE-2
|
Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
|
Interface Type
光ファイバー
|
Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
|
Gate Turn-off Voltage
--10.1 V
|
Gate Peak Current (Max)
+35 A
|
Isolation Technology
ガルバニック
|
Time - Output Fall
30 ns
|
Time - Output Rise
9 ns
|
Driving Mode
直接独立型
|
Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Operating (Max)
85 ℃
|
Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Storage (Max)
50 ℃
|
Connection Type to IGBT
直接
|
Paralleling Support?
No
|
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
3300 V
|
Max Switching Frequency
12.4 kHz
|
Power - Output/Channel (Max)
3.0 W
|
Supply Voltage (Typ)
15 V
|
Voltage - DC Link Off state (60s)
2700 V
|
Isolation Type
基本
|
Supported Module Type
IGBT
|
Supported Module(s)
1MBI800UG-330
|
IGBT Manufacturer
Fuji
|
Conformal Coated?
No
|
Number of Channels
1
|
Main/Peripheral
メイン
|
Protection Features
動的高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）
|
Technology
SCALE-2
|
Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
|
Interface Type
光ファイバー
|
Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
|
Gate Turn-off Voltage
--10.1 V
|
Gate Peak Current (Max)
+35 A
|
Isolation Technology
ガルバニック
|
Time - Output Fall
30 ns
|
Time - Output Rise
9 ns
|
Driving Mode
直接独立型
|
Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Operating (Max)
85 ℃
|
Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Storage (Max)
50 ℃
|
Connection Type to IGBT
直接
|
Paralleling Support?
No
|
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
2500 V
|
|
Power - Output/Channel (Max)
3.0 W
|
Supply Voltage (Typ)
15 V
|
Voltage - DC Link Off state (60s)
2150 V
|
Isolation Type
基本
|
Supported Module Type
IGBT
|
|
|
Conformal Coated?
No
|
Number of Channels
1
|
Main/Peripheral
メイン
|
Protection Features
動的高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）
|
Technology
SCALE-2
|
Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
|
Interface Type
光ファイバー
|
Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
|
Gate Turn-off Voltage
--10.1 V
|
Gate Peak Current (Max)
+35 A
|
Isolation Technology
ガルバニック
|
Time - Output Fall
30 ns
|
Time - Output Rise
9 ns
|
Driving Mode
直接独立型
|
Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Operating (Max)
85 ℃
|
Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Storage (Max)
90 ℃
|
Connection Type to IGBT
直接
|
Paralleling Support?
No
|
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
3300 V
|
|
Power - Output/Channel (Max)
3.0 W
|
Supply Voltage (Typ)
15 V
|
Voltage - DC Link Off state (60s)
2700 V
|
Isolation Type
基本
|
Supported Module Type
IGBT
|
|
|
Conformal Coated?
No
|
Number of Channels
1
|
Main/Peripheral
メイン
|
Protection Features
動的高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）
|
Technology
SCALE-2
|
Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
|
Interface Type
光ファイバー
|
Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
|
Gate Turn-off Voltage
--10.1 V
|
Gate Peak Current (Max)
+35 A
|
Isolation Technology
ガルバニック
|
Time - Output Fall
30 ns
|
Time - Output Rise
9 ns
|
Driving Mode
直接独立型
|
Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Operating (Max)
85 ℃
|
Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Storage (Max)
90 ℃
|
Connection Type to IGBT
直接
|
Paralleling Support?
No
|
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
3300 V
|
Max Switching Frequency
17.0 kHz
|
Power - Output/Channel (Max)
3.0 W
|
Supply Voltage (Typ)
15 V
|
Voltage - DC Link Off state (60s)
2700 V
|
Isolation Type
基本
|
Supported Module Type
IGBT
|
Supported Module(s)
5SNA0800N330100
|
IGBT Manufacturer
ABB
|
Conformal Coated?
No
|
Number of Channels
1
|
Main/Peripheral
メイン
|
Protection Features
動的高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）
|
Technology
SCALE-2
|
Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
|
Interface Type
光ファイバー
|
Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
|
Gate Turn-off Voltage
--10.1 V
|
Gate Peak Current (Max)
+35 A
|
Isolation Technology
ガルバニック
|
Time - Output Fall
30 ns
|
Time - Output Rise
9 ns
|
Driving Mode
直接独立型
|
Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Operating (Max)
85 ℃
|
Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Storage (Max)
50 ℃
|
Connection Type to IGBT
直接
|
Paralleling Support?
No
|
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
3300 V
|
Max Switching Frequency
10.0 kHz
|
Power - Output/Channel (Max)
3.0 W
|
Supply Voltage (Typ)
15 V
|
Voltage - DC Link Off state (60s)
2700 V
|
Isolation Type
基本
|
Supported Module Type
IGBT
|
Supported Module(s)
5SNA1000N330300
|
IGBT Manufacturer
ABB
|
Conformal Coated?
No
|
Number of Channels
1
|
Main/Peripheral
メイン
|
Protection Features
動的高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）
|
Technology
SCALE-2
|
Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
|
Interface Type
光ファイバー
|
Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
|
Gate Turn-off Voltage
--10.1 V
|
Gate Peak Current (Max)
+35 A
|
Isolation Technology
ガルバニック
|
Time - Output Fall
30 ns
|
Time - Output Rise
9 ns
|
Driving Mode
直接独立型
|
Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Operating (Max)
85 ℃
|
Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Storage (Max)
50 ℃
|
Connection Type to IGBT
直接
|
Paralleling Support?
No
|
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
3300 V
|
Max Switching Frequency
12.1 kHz
|
Power - Output/Channel (Max)
3.0 W
|
Supply Voltage (Typ)
15 V
|
Voltage - DC Link Off state (60s)
2700 V
|
Isolation Type
基本
|
Supported Module Type
IGBT
|
Supported Module(s)
5SNA1200E330100
|
IGBT Manufacturer
ABB
|
Conformal Coated?
No
|
Number of Channels
1
|
Main/Peripheral
メイン
|
Protection Features
動的高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）
|
Technology
SCALE-2
|
Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
|
Interface Type
光ファイバー
|
Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
|
Gate Turn-off Voltage
--10.1 V
|
Gate Peak Current (Max)
+35 A
|
Isolation Technology
ガルバニック
|
Time - Output Fall
30 ns
|
Time - Output Rise
9 ns
|
Driving Mode
直接独立型
|
Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Operating (Max)
85 ℃
|
Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Storage (Max)
50 ℃
|
Connection Type to IGBT
直接
|
Paralleling Support?
No
|
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
2500 V
|
Max Switching Frequency
11.0 kHz
|
Power - Output/Channel (Max)
3.0 W
|
Supply Voltage (Typ)
15 V
|
Voltage - DC Link Off state (60s)
2150 V
|
Isolation Type
基本
|
Supported Module Type
IGBT
|
Supported Module(s)
5SNA1500E250300
|
IGBT Manufacturer
ABB
|
Conformal Coated?
No
|
Number of Channels
1
|
Main/Peripheral
メイン
|
Protection Features
動的高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）
|
Technology
SCALE-2
|
Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
|
Interface Type
光ファイバー
|
Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
|
Gate Turn-off Voltage
--10.1 V
|
Gate Peak Current (Max)
+35 A
|
Isolation Technology
ガルバニック
|
Time - Output Fall
30 ns
|
Time - Output Rise
9 ns
|
Driving Mode
直接独立型
|
Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Operating (Max)
85 ℃
|
Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Storage (Max)
50 ℃
|
Connection Type to IGBT
直接
|
Paralleling Support?
No
|
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
3300 V
|
Max Switching Frequency
8.5 kHz
|
Power - Output/Channel (Max)
3.0 W
|
Supply Voltage (Typ)
15 V
|
Voltage - DC Link Off state (60s)
2700 V
|
Isolation Type
基本
|
Supported Module Type
IGBT
|
Supported Module(s)
5SNA1500E330300
|
IGBT Manufacturer
ABB
|
Conformal Coated?
No
|
Number of Channels
1
|
Main/Peripheral
メイン
|
Protection Features
動的高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）
|
Technology
SCALE-2
|
Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
|
Interface Type
光ファイバー
|
Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
|
Gate Turn-off Voltage
--10.1 V
|
Gate Peak Current (Max)
+35 A
|
Isolation Technology
ガルバニック
|
Time - Output Fall
30 ns
|
Time - Output Rise
9 ns
|
Driving Mode
直接独立型
|
Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Operating (Max)
85 ℃
|
Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Storage (Max)
50 ℃
|
Connection Type to IGBT
直接
|
Paralleling Support?
No
|
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
3300 V
|
Max Switching Frequency
7.7 kHz
|
Power - Output/Channel (Max)
3.0 W
|
Supply Voltage (Typ)
15 V
|
Voltage - DC Link Off state (60s)
2700 V
|
Isolation Type
基本
|
Supported Module Type
IGBT
|
Supported Module(s)
5SNA1500E330305
|
IGBT Manufacturer
ABB
|
Conformal Coated?
No
|
Number of Channels
1
|
Main/Peripheral
メイン
|
Protection Features
動的高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）
|
Technology
SCALE-2
|
Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
|
Interface Type
光ファイバー
|
Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
|
Gate Turn-off Voltage
--10.1 V
|
Gate Peak Current (Max)
+35 A
|
Isolation Technology
ガルバニック
|
Time - Output Fall
30 ns
|
Time - Output Rise
9 ns
|
Driving Mode
直接独立型
|
Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Operating (Max)
85 ℃
|
Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Storage (Max)
50 ℃
|
Connection Type to IGBT
直接
|
Paralleling Support?
No
|
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
3300 V
|
Max Switching Frequency
5.0 kHz
|
Power - Output/Channel (Max)
3.0 W
|
Supply Voltage (Typ)
15 V
|
Voltage - DC Link Off state (60s)
2700 V
|
Isolation Type
基本
|
Supported Module Type
IGBT
|
Supported Module(s)
5SNA1800E330400
|
IGBT Manufacturer
ABB
|
Conformal Coated?
No
|
Number of Channels
1
|
Main/Peripheral
メイン
|
Protection Features
動的高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）
|
Technology
SCALE-2
|
Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
|
Interface Type
光ファイバー
|
Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
|
Gate Turn-off Voltage
--10.1 V
|
Gate Peak Current (Max)
+35 A
|
Isolation Technology
ガルバニック
|
Time - Output Fall
30 ns
|
Time - Output Rise
9 ns
|
Driving Mode
直接独立型
|
Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Operating (Max)
85 ℃
|
Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Storage (Max)
50 ℃
|
Connection Type to IGBT
直接
|
Paralleling Support?
No
|
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
1700 V
|
Max Switching Frequency
6.0 kHz
|
Power - Output/Channel (Max)
3.0 W
|
Supply Voltage (Typ)
15 V
|
Voltage - DC Link Off state (60s)
1480 V
|
Isolation Type
強化型
|
Supported Module Type
IGBT
|
Supported Module(s)
5SNA3600E170300
|
IGBT Manufacturer
ABB
|
Conformal Coated?
No
|
Number of Channels
1
|
Main/Peripheral
メイン
|
Protection Features
動的高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）
|
Technology
SCALE-2
|
Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
|
Interface Type
光ファイバー
|
Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
|
Gate Turn-off Voltage
--10.1 V
|
Gate Peak Current (Max)
+35 A
|
Isolation Technology
ガルバニック
|
Time - Output Fall
30 ns
|
Time - Output Rise
9 ns
|
Driving Mode
直接独立型
|
Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Operating (Max)
85 ℃
|
Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Storage (Max)
50 ℃
|
Connection Type to IGBT
直接
|
Paralleling Support?
No
|
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
3300 V
|
Max Switching Frequency
10.0 kHz
|
Power - Output/Channel (Max)
3.0 W
|
Supply Voltage (Typ)
15 V
|
Voltage - DC Link Off state (60s)
2700 V
|
Isolation Type
基本
|
Supported Module Type
IGBT
|
Supported Module(s)
5SNE1000E330300
|
IGBT Manufacturer
ABB
|
Conformal Coated?
No
|
Number of Channels
1
|
Main/Peripheral
メイン
|
Protection Features
動的高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）
|
Technology
SCALE-2
|
Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
|
Interface Type
光ファイバー
|
Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
|
Gate Turn-off Voltage
--10.1 V
|
Gate Peak Current (Max)
+35 A
|
Isolation Technology
ガルバニック
|
Time - Output Fall
30 ns
|
Time - Output Rise
9 ns
|
Driving Mode
直接独立型
|
Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Operating (Max)
85 ℃
|
Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Storage (Max)
50 ℃
|
Connection Type to IGBT
直接
|
Paralleling Support?
No
|
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
3300 V
|
Max Switching Frequency
13.5 kHz
|
Power - Output/Channel (Max)
3.0 W
|
Supply Voltage (Typ)
15 V
|
Voltage - DC Link Off state (60s)
2700 V
|
Isolation Type
基本
|
Supported Module Type
IGBT
|
Supported Module(s)
CM1000HC-66R
|
IGBT Manufacturer
Mitsubishi/Powerex
|
Conformal Coated?
No
|
Number of Channels
1
|
Main/Peripheral
メイン
|
Protection Features
動的高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）
|
Technology
SCALE-2
|
Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
|
Interface Type
光ファイバー
|
Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
|
Gate Turn-off Voltage
--10.1 V
|
Gate Peak Current (Max)
+35 A
|
Isolation Technology
ガルバニック
|
Time - Output Fall
30 ns
|
Time - Output Rise
9 ns
|
Driving Mode
直接独立型
|
Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Operating (Max)
85 ℃
|
Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Storage (Max)
50 ℃
|
Connection Type to IGBT
直接
|
Paralleling Support?
No
|
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
3300 V
|
Max Switching Frequency
6.6 kHz
|
Power - Output/Channel (Max)
3.0 W
|
Supply Voltage (Typ)
15 V
|
Voltage - DC Link Off state (60s)
2700 V
|
Isolation Type
基本
|
Supported Module Type
IGBT
|
Supported Module(s)
CM1200HC-66H
|
IGBT Manufacturer
Mitsubishi/Powerex
|
Conformal Coated?
No
|
Number of Channels
1
|
Main/Peripheral
メイン
|
Protection Features
動的高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）
|
Technology
SCALE-2
|
Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
|
Interface Type
光ファイバー
|
Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
|
Gate Turn-off Voltage
--10.1 V
|
Gate Peak Current (Max)
+35 A
|
Isolation Technology
ガルバニック
|
Time - Output Fall
30 ns
|
Time - Output Rise
9 ns
|
Driving Mode
直接独立型
|
Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Operating (Max)
85 ℃
|
Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Storage (Max)
50 ℃
|
Connection Type to IGBT
直接
|
Paralleling Support?
No
|
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
3300 V
|
Max Switching Frequency
15.0 kHz
|
Power - Output/Channel (Max)
3.0 W
|
Supply Voltage (Typ)
15 V
|
Voltage - DC Link Off state (60s)
2700 V
|
Isolation Type
基本
|
Supported Module Type
IGBT
|
Supported Module(s)
CM1200HC-66X
|
IGBT Manufacturer
Mitsubishi/Powerex
|
Conformal Coated?
No
|
Number of Channels
1
|
Main/Peripheral
メイン
|
Protection Features
動的高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）
|
Technology
SCALE-2
|
Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
|
Interface Type
光ファイバー
|
Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
|
Gate Turn-off Voltage
--10.1 V
|
Gate Peak Current (Max)
+35 A
|
Isolation Technology
ガルバニック
|
Time - Output Fall
30 ns
|
Time - Output Rise
9 ns
|
Driving Mode
直接独立型
|
Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Operating (Max)
85 ℃
|
Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Storage (Max)
50 ℃
|
Connection Type to IGBT
直接
|
Paralleling Support?
No
|
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
3300 V
|
Max Switching Frequency
15.0 kHz
|
Power - Output/Channel (Max)
3.0 W
|
Supply Voltage (Typ)
15 V
|
Voltage - DC Link Off state (60s)
2700 V
|
Isolation Type
基本
|
Supported Module Type
IGBT
|
Supported Module(s)
CM1200HCB-66X
|
IGBT Manufacturer
Mitsubishi/Powerex
|
Conformal Coated?
No
|
Number of Channels
1
|
Main/Peripheral
メイン
|
Protection Features
動的高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）
|
Technology
SCALE-2
|
Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
|
Interface Type
光ファイバー
|
Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
|
Gate Turn-off Voltage
--10.1 V
|
Gate Peak Current (Max)
+35 A
|
Isolation Technology
ガルバニック
|
Time - Output Fall
30 ns
|
Time - Output Rise
9 ns
|
Driving Mode
直接独立型
|
Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Operating (Max)
85 ℃
|
Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Storage (Max)
50 ℃
|
Connection Type to IGBT
直接
|
Paralleling Support?
No
|
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
3300 V
|
Max Switching Frequency
8.5 kHz
|
Power - Output/Channel (Max)
3.0 W
|
Supply Voltage (Typ)
15 V
|
Voltage - DC Link Off state (60s)
2700 V
|
Isolation Type
基本
|
Supported Module Type
IGBT
|
Supported Module(s)
CM1500HC-66R
|
IGBT Manufacturer
Mitsubishi/Powerex
|
Conformal Coated?
No
|
Number of Channels
1
|
Main/Peripheral
メイン
|
Protection Features
動的高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）
|
Technology
SCALE-2
|
Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
|
Interface Type
光ファイバー
|
Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
|
Gate Turn-off Voltage
--10.1 V
|
Gate Peak Current (Max)
+35 A
|
Isolation Technology
ガルバニック
|
Time - Output Fall
30 ns
|
Time - Output Rise
9 ns
|
Driving Mode
直接独立型
|
Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Operating (Max)
85 ℃
|
Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Storage (Max)
50 ℃
|
Connection Type to IGBT
直接
|
Paralleling Support?
No
|
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
3300 V
|
Max Switching Frequency
10.0 kHz
|
Power - Output/Channel (Max)
3.0 W
|
Supply Voltage (Typ)
15 V
|
Voltage - DC Link Off state (60s)
2700 V
|
Isolation Type
基本
|
Supported Module Type
IGBT
|
Supported Module(s)
CM1800HC-66X
|
IGBT Manufacturer
Mitsubishi/Powerex
|
Conformal Coated?
No
|
Number of Channels
1
|
Main/Peripheral
メイン
|
Protection Features
動的高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）
|
Technology
SCALE-2
|
Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
|
Interface Type
光ファイバー
|
Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
|
Gate Turn-off Voltage
--10.1 V
|
Gate Peak Current (Max)
+35 A
|
Isolation Technology
ガルバニック
|
Time - Output Fall
30 ns
|
Time - Output Rise
9 ns
|
Driving Mode
直接独立型
|
Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Operating (Max)
85 ℃
|
Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Storage (Max)
50 ℃
|
Connection Type to IGBT
直接
|
Paralleling Support?
No
|
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
1700 V
|
Max Switching Frequency
5.5 kHz
|
Power - Output/Channel (Max)
3.0 W
|
Supply Voltage (Typ)
15 V
|
Voltage - DC Link Off state (60s)
1480 V
|
Isolation Type
強化型
|
Supported Module Type
IGBT
|
Supported Module(s)
CM2400HCB-34N
|
IGBT Manufacturer
Mitsubishi/Powerex
|
Conformal Coated?
No
|
Number of Channels
1
|
Main/Peripheral
メイン
|
Protection Features
動的高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）
|
Technology
SCALE-2
|
Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
|
Interface Type
光ファイバー
|
Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
|
Gate Turn-off Voltage
--10.1 V
|
Gate Peak Current (Max)
+35 A
|
Isolation Technology
ガルバニック
|
Time - Output Fall
30 ns
|
Time - Output Rise
9 ns
|
Driving Mode
直接独立型
|
Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Operating (Max)
85 ℃
|
Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Storage (Max)
50 ℃
|
Connection Type to IGBT
直接
|
Paralleling Support?
No
|
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
1700 V
|
Max Switching Frequency
1.9 kHz
|
Power - Output/Channel (Max)
3.0 W
|
|
Voltage - DC Link Off state (60s)
1480 V
|
Isolation Type
基本
|
Supported Module Type
IGBT
|
Supported Module(s)
CM2400HCB-34X
|
IGBT Manufacturer
Mitsubishi
|
Conformal Coated?
No
|
Number of Channels
1
|
Main/Peripheral
メイン
|
Protection Features
動的高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）
|
Technology
SCALE-2
|
Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
|
Interface Type
光ファイバー
|
Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
|
Gate Turn-off Voltage
--10.0 V
|
Gate Peak Current (Max)
+35 A
|
Isolation Technology
ガルバニック
|
Time - Output Fall
30 ns
|
Time - Output Rise
9 ns
|
Driving Mode
直接独立型
|
|
|
|
|
Connection Type to IGBT
直接
|
Paralleling Support?
No
|
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
3300 V
|
Max Switching Frequency
8.1 kHz
|
Power - Output/Channel (Max)
3.0 W
|
Supply Voltage (Typ)
15 V
|
Voltage - DC Link Off state (60s)
2700 V
|
Isolation Type
基本
|
Supported Module Type
IGBT
|
Supported Module(s)
CM800HC-66H
|
IGBT Manufacturer
Mitsubishi/Powerex
|
Conformal Coated?
No
|
Number of Channels
1
|
Main/Peripheral
メイン
|
Protection Features
動的高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）
|
Technology
SCALE-2
|
Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
|
Interface Type
光ファイバー
|
Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
|
Gate Turn-off Voltage
--10.1 V
|
Gate Peak Current (Max)
+35 A
|
Isolation Technology
ガルバニック
|
Time - Output Fall
30 ns
|
Time - Output Rise
9 ns
|
Driving Mode
直接独立型
|
Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Operating (Max)
85 ℃
|
Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Storage (Max)
50 ℃
|
Connection Type to IGBT
直接
|
Paralleling Support?
No
|
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
3300 V
|
Max Switching Frequency
9.5 kHz
|
Power - Output/Channel (Max)
3.0 W
|
Supply Voltage (Typ)
15 V
|
Voltage - DC Link Off state (60s)
2700 V
|
Isolation Type
基本
|
Supported Module Type
IGBT
|
Supported Module(s)
DIM1000NSM33-TS000, TIM1000NSM33-TS000
|
IGBT Manufacturer
Dynex
|
Conformal Coated?
No
|
Number of Channels
1
|
Main/Peripheral
メイン
|
Protection Features
動的高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）
|
Technology
SCALE-2
|
Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
|
Interface Type
光ファイバー
|
Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
|
Gate Turn-off Voltage
--10.1 V
|
Gate Peak Current (Max)
+35 A
|
Isolation Technology
ガルバニック
|
Time - Output Fall
30 ns
|
Time - Output Rise
9 ns
|
Driving Mode
直接独立型
|
Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Operating (Max)
85 ℃
|
Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Storage (Max)
50 ℃
|
Connection Type to IGBT
直接
|
Paralleling Support?
No
|
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
3300 V
|
Max Switching Frequency
4.7 kHz
|
Power - Output/Channel (Max)
3.0 W
|
Supply Voltage (Typ)
15 V
|
Voltage - DC Link Off state (60s)
2700 V
|
Isolation Type
基本
|
Supported Module Type
IGBT
|
Supported Module(s)
DIM1200ESM33-F000
|
IGBT Manufacturer
Dynex
|
Conformal Coated?
No
|
Number of Channels
1
|
Main/Peripheral
メイン
|
Protection Features
動的高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）
|
Technology
SCALE-2
|
Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
|
Interface Type
光ファイバー
|
Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
|
Gate Turn-off Voltage
--10.1 V
|
Gate Peak Current (Max)
+35 A
|
Isolation Technology
ガルバニック
|
Time - Output Fall
30 ns
|
Time - Output Rise
9 ns
|
Driving Mode
直接独立型
|
Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Operating (Max)
85 ℃
|
Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Storage (Max)
50 ℃
|
Connection Type to IGBT
直接
|
Paralleling Support?
No
|
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
3300 V
|
Max Switching Frequency
6.4 kHz
|
Power - Output/Channel (Max)
3.0 W
|
Supply Voltage (Typ)
15 V
|
Voltage - DC Link Off state (60s)
2700 V
|
Isolation Type
基本
|
Supported Module Type
IGBT
|
Supported Module(s)
DIM1500ESM33-PR500, DIM1500ESM33-PSA012, TIM1500ESM33-PSA012
|
IGBT Manufacturer
Dynex
|
Conformal Coated?
No
|
Number of Channels
1
|
Main/Peripheral
メイン
|
Protection Features
動的高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）
|
Technology
SCALE-2
|
Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
|
Interface Type
光ファイバー
|
Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
|
Gate Turn-off Voltage
--10.1 V
|
Gate Peak Current (Max)
+35 A
|
Isolation Technology
ガルバニック
|
Time - Output Fall
30 ns
|
Time - Output Rise
9 ns
|
Driving Mode
直接独立型
|
Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Operating (Max)
85 ℃
|
Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Storage (Max)
50 ℃
|
Connection Type to IGBT
直接
|
Paralleling Support?
No
|
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
3300 V
|
Max Switching Frequency
6.4 kHz
|
Power - Output/Channel (Max)
3.0 W
|
Supply Voltage (Typ)
15 V
|
Voltage - DC Link Off state (60s)
2700 V
|
Isolation Type
基本
|
Supported Module Type
IGBT
|
Supported Module(s)
DIM1500ESM33-PSA012, TIM1500ESM33-PSA012
|
IGBT Manufacturer
Dynex
|
Conformal Coated?
No
|
Number of Channels
1
|
Main/Peripheral
メイン
|
Protection Features
動的高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）
|
Technology
SCALE-2
|
Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
|
Interface Type
光ファイバー
|
Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
|
Gate Turn-off Voltage
--10.1 V
|
Gate Peak Current (Max)
+35 A
|
Isolation Technology
ガルバニック
|
Time - Output Fall
30 ns
|
Time - Output Rise
9 ns
|
Driving Mode
直接独立型
|
Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Operating (Max)
85 ℃
|
Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Storage (Max)
50 ℃
|
Connection Type to IGBT
直接
|
Paralleling Support?
No
|
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
3300 V
|
Max Switching Frequency
6.4 kHz
|
Power - Output/Channel (Max)
3.0 W
|
Supply Voltage (Typ)
15 V
|
Voltage - DC Link Off state (60s)
2700 V
|
Isolation Type
基本
|
Supported Module Type
IGBT
|
Supported Module(s)
DIM1500ESM33-TS000
|
IGBT Manufacturer
Dynex
|
Conformal Coated?
No
|
Number of Channels
1
|
Main/Peripheral
メイン
|
Protection Features
動的高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）
|
Technology
SCALE-2
|
Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
|
Interface Type
光ファイバー
|
Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
|
Gate Turn-off Voltage
--10.1 V
|
Gate Peak Current (Max)
+35 A
|
Isolation Technology
ガルバニック
|
Time - Output Fall
30 ns
|
Time - Output Rise
9 ns
|
Driving Mode
直接独立型
|
Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Operating (Max)
85 ℃
|
Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Storage (Max)
50 ℃
|
Connection Type to IGBT
直接
|
Paralleling Support?
No
|
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
3300 V
|
Max Switching Frequency
6.9 kHz
|
Power - Output/Channel (Max)
3.0 W
|
Supply Voltage (Typ)
15 V
|
Voltage - DC Link Off state (60s)
2700 V
|
Isolation Type
基本
|
Supported Module Type
IGBT
|
Supported Module(s)
DIM800NSM33-F000
|
IGBT Manufacturer
Dynex
|
Conformal Coated?
No
|
Number of Channels
1
|
Main/Peripheral
メイン
|
Protection Features
動的高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）
|
Technology
SCALE-2
|
Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
|
Interface Type
光ファイバー
|
Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
|
Gate Turn-off Voltage
--10.1 V
|
Gate Peak Current (Max)
+35 A
|
Isolation Technology
ガルバニック
|
Time - Output Fall
30 ns
|
Time - Output Rise
9 ns
|
Driving Mode
直接独立型
|
Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Operating (Max)
85 ℃
|
Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Storage (Max)
50 ℃
|
Connection Type to IGBT
直接
|
Paralleling Support?
No
|
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
1700 V
|
Max Switching Frequency
11.0 kHz
|
Power - Output/Channel (Max)
3.0 W
|
Supply Voltage (Typ)
15 V
|
Voltage - DC Link Off state (60s)
1480 V
|
Isolation Type
強化型
|
Supported Module Type
IGBT
|
Supported Module(s)
FD1200R17HP4-K_B2
|
IGBT Manufacturer
Infineon
|
Conformal Coated?
No
|
Number of Channels
1
|
Main/Peripheral
メイン
|
Protection Features
動的高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）
|
Technology
SCALE-2
|
Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
|
Interface Type
光ファイバー
|
Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
|
Gate Turn-off Voltage
--10.1 V
|
Gate Peak Current (Max)
+35 A
|
Isolation Technology
ガルバニック
|
Time - Output Fall
30 ns
|
Time - Output Rise
9 ns
|
Driving Mode
直接独立型
|
Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Operating (Max)
85 ℃
|
Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Storage (Max)
50 ℃
|
Connection Type to IGBT
直接
|
Paralleling Support?
No
|
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
1700 V
|
Max Switching Frequency
9.5 kHz
|
Power - Output/Channel (Max)
3.0 W
|
Supply Voltage (Typ)
15 V
|
Voltage - DC Link Off state (60s)
1480 V
|
Isolation Type
強化型
|
Supported Module Type
IGBT
|
Supported Module(s)
FD1200R17KE3-K_B2
|
IGBT Manufacturer
Infineon
|
Conformal Coated?
No
|
Number of Channels
1
|
Main/Peripheral
メイン
|
Protection Features
動的高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）
|
Technology
SCALE-2
|
Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
|
Interface Type
光ファイバー
|
Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
|
Gate Turn-off Voltage
--10.1 V
|
Gate Peak Current (Max)
+35 A
|
Isolation Technology
ガルバニック
|
Time - Output Fall
30 ns
|
Time - Output Rise
9 ns
|
Driving Mode
直接独立型
|
Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Operating (Max)
85 ℃
|
Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
|
Temperature - Storage (Max)
50 ℃
|
Connection Type to IGBT
直接
|
Paralleling Support?
No
|
|
|
Data Sheet
View Data Sheet
|
IGBT Voltage Class
3300 V
|
Max Switching Frequency
4.3 kHz
|
Power - Output/Channel (Max)
3.0 W
|
Supply Voltage (Typ)
15 V
|
Voltage - DC Link Off state (60s)
2700 V
|
Isolation Type
基本
|
Supported Module Type
IGBT
|
Supported Module(s)
FZ1000R33HE3
|
IGBT Manufacturer
Infineon
|
Conformal Coated?
No
|
Number of Channels
1
|
Main/Peripheral
メイン
|
Protection Features
動的高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）
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Technology
SCALE-2
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Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
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Interface Type
光ファイバー
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Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
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Gate Turn-off Voltage
--10.1 V
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Gate Peak Current (Max)
+35 A
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Isolation Technology
ガルバニック
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Time - Output Fall
30 ns
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Time - Output Rise
9 ns
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Driving Mode
直接独立型
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Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
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Temperature - Operating (Max)
85 ℃
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Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
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Temperature - Storage (Max)
50 ℃
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Connection Type to IGBT
直接
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Paralleling Support?
No
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Data Sheet
View Data Sheet
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IGBT Voltage Class
3300 V
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Max Switching Frequency
4.4 kHz
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Power - Output/Channel (Max)
3.0 W
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Supply Voltage (Typ)
15 V
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Voltage - DC Link Off state (60s)
2700 V
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Isolation Type
基本
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Supported Module Type
IGBT
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Supported Module(s)
FZ1000R33HL3
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IGBT Manufacturer
Infineon
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Conformal Coated?
No
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Number of Channels
1
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Main/Peripheral
メイン
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Protection Features
動的高度アクティブクランピング, 過電圧, 短絡, 低電圧（セカンダリ側）
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Technology
SCALE-2
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Supported Topologies
2レベル電圧源, 3レベルNPクランプ - タイプ1,
3レベルNPクランプ - タイプ2, 多レベルNPクランプ
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Interface Type
光ファイバー
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Gate Turn-on Voltage
+15.0 V
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Gate Turn-off Voltage
--10.1 V
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Gate Peak Current (Max)
+35 A
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Isolation Technology
ガルバニック
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Time - Output Fall
30 ns
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Time - Output Rise
9 ns
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Driving Mode
直接独立型
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Temperature - Operating (Min)
-40 ℃
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Temperature - Operating (Max)
85 ℃
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Temperature - Storage (Min)
-40 ℃
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Temperature - Storage (Max)
50 ℃
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Connection Type to IGBT
直接
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Paralleling Support?
No
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製品詳細
1SP0635 SCALE-2 プラグアンドプレイ ドライバは、1200 V ～ 3300 V の電圧で 130 x 140 mm 及び 190 x 140 mm の高電圧及び高電力 IGBT モジュールを安全に、信頼性の高い状態で駆動します。これらのドライバは鉄道業界での高信頼性を要求される用途向けに最適化されています。
このドライバは、並列接続された IGBT モジュールの安全な動作を可能にするマスタ/スレーブ構成で動作します。マスタ (1SP0635V または 1SP0635S) は一つの IGBT モジュールを駆動するスレーブなしのスタンドアロン ドライバとして使用することも、4 つの並列接続された IGBT モジュールを駆動するために最大 3 つのスレーブ (1SP0635D) と一緒に使用することもできます。
マスタ ドライブには光ファイバ インターフェース及びグローバル異常管理機能が搭載されています。マスタ/スレーブ構成では、スレーブがバス ケーブルによってマスタに接続され、DC/DC コンバータからの二次側電圧及び共通のコマンド信号が分配されます。
1SP0635 ドライバは CONCEPT の高集積 SCALE-2 チップセットをベースに構成されています。従って、このシングルチャンネル ドライバは高性能で、フル機能かつ超小型です。また、SCALE-2 チップセットでは、従来のソリューションと比較して部品数が最大 80% 減少するため、大幅に信頼性が高くなり、コストが削減されます。
このドライバにはダイナミック アドバンスト アクティブ クランプ (DA2C)、短絡保護、内蔵 DC/DC コンバータ、制御されたターンオン ゲート駆動電圧、及び電源電圧監視のすべてが搭載されています。
機械的に互換性のあるすべての IGBT モジュールに対して、正確に対応するドライバを利用できます。プラグアンドプレイ構成によって、取り付け後すぐに動作するため、ユーザーは特定の用途のドライバの設計や調整に時間や労力を費やす必要がありません。
光ファイバ インターフェース オプション
光ファイバ リンクは、コマンド及びステータス フィードバック信号の電気的絶縁を目的として使用されます。2 つのバージョンの光ファイバ インターフェースを使用できます。
- 多目的リンクが搭載された 1SP0635V
- ST リンクが搭載された 1SP0635S
詳細は、製品のドキュメントで確認してください。
信頼できる安全な動作を実現する並列接続された高電圧かつ高出力の IGBT モジュール。
- 最大 3300V のブロック電圧
- 光ファイバ インターフェース
- +15V (規定)/-10V ゲートの駆動
- IGBT の直接並列接続
- 2 レベル及びマルチレベルのトポロジ
- ダイナミックな IGBT 短絡保護
- ダイナミック アドバンスト アクティブ クランプ機能 DA2C
- 内蔵 DC/DC コンバータ
- 入力低電圧ロックアウト
- ゲートの監視
- IEC 60077-1 に対応した沿面及び空間距離
- UL 準拠
- 優れた EMC
- 高信頼性、長い耐用年数
- 樹脂コーティングで利用できる
