eSIP 封裝資訊
eSIP™ 封裝能創造出更簡潔、更小巧的電源供應器
Power Integrations 的新型 eSIP 封裝與傳統 TO-220 相同,都具備低熱阻抗的特性,但高度卻只有傳統的一半。所以,最適合用於輕薄型的電子產品,如 LCD 顯示器、平面電視與機上盒等。
eSIP 的優點:
- 封裝高度更低,可實現更小巧的設計
- 接面至外殼 (junction-to-case) 熱阻抗 (θJC) 與標準的 TO-220 封裝近似
- 連接源極的散熱塊可減少 EMI 噪訊
- 簡單的夾式散熱片設計,可降低製造成本並提高重複使用率
接合選擇
下面提供了針對 eSIP 封裝的多種低成本接合選擇。
如需有關封裝尺寸的具體資訊,請參閱 Power Integrations 的封裝資訊文件。
圖 1 (右方) 呈現上表所列部分不同封裝高度的差異之處。以黏著複合材料接合的 eSIP L 封裝,接合高度最低,為 2.1 mm。相較於 TO-220,以相同材料接合的 eSIP E 封裝高度為 (10.5 mm)。 |
圖 1:eSIP 之 E 及 L 封裝與 TO-220 |
封裝比較
封裝
|
接合方法
|
最低接合高度
|
散熱片電位
|
---|---|---|---|
eSIP (L)
|
Liquid Adhesive
Tape |
2.1 mm
2.1 mm |
Source
|
eSIP (H)
|
Extended Plastic Clip
|
10.5 mm
|
N/A
|
eSIP (E)
|
Liquid Adhesive
Tape U-Clip Plastic Mini Strap Metal Strap Plastic Strap |
10.5 mm
10.5 mm 15.1 mm 20 mm 20 mm 24 mm |
Source
|
TO-220 (PI)
|
Liquid Adhesive
Tape Screw |
21 mm
21 mm 21 mm |
Source
|
TO-220 (Standard)
|
Liquid Adhesive
Tape Screw |
21 mm
21 mm 21 mm |
Drain
|
附註:Power Integrations 的 TO-220 與 eSIP 封裝均採用導線架外露的方式。導線架與 MOSFET 功率裝置的源極端子相連接。接合之後,亦會與散熱片相連接。如此可確保散熱片連接至 DC(-) 端 (亦為電氣靜態節點),而不會增大輻射 EMI。