2SC0650P2A0-17

2SC0650P SCALE-2 デュアル ドライバ コアは、高電力密度と適用範囲の広さを併せ持っています。このドライバは最大限の信頼性が要求される高電力と高周波数の両方の用途向けに設計されています。最大 1700 V の逆電圧での IGBT に適しており、専用の MOSFET モードを備えています。並列機能が組み込まれており、高い電力定格でのインバータ設計がシンプルになります。マルチレベル トポロジもサポートされます。

この技術の特徴
CONCEPT のプレーナートランスを使った特許技術により、効率的な高電圧絶縁及び長期間の信頼性が保証され、小型化、ノイズへの耐性及び性能の大幅な向上が実現します。100 V/ナノ秒を超える dv/dt に対する EMC 性能により、最も過酷な産業用途でも信頼度の高い安全な動作を維持できます。
2SC0650P の外形はわずか 6.5 mm、面積は 57 x 62 mm です。高集積の SCALE-2 チップセットでは、従来のソリューションと比較して部品数が最大 80% 減少するため、大幅に信頼性が高くなり、コストが削減されます。
また、SCALE-2 技術により、ドライバ コアが最大 150 kHz のスイッチング周波数で動作できます。これはクラス最高効率です。2SC0650P は絶縁型 DC/DC コンバータ、短絡保護、アドバンスト アクティブ クランプ、及び電源電圧監視などの駆動に必要なすべての部品と 2 チャンネル ドライブ コアすべてを内蔵しています。2 つの出力チャンネルのそれぞれが一次側及び他の二次側チャンネルから電気的に絶縁されています。

IGBT モード
チャンネルごとに 50 A の出力電流及び 6 W のドライブ電力を利用できるため、2SC0650P は高電力モジュールと並列接続 IGBT モジュールの両方に適したドライバです。専用 IGBT モードでは、ドライバが +15 V / –10 V のゲート電圧振幅に対応します。出力電力レベルに関係なく安定した 15 V を維持するように、ターンオン電圧が規定されています。
dv/dt が 100 V/ナノ秒を超える優れた EMC パフォーマンスにより、業界で最も過酷な環境でも確実に動作することができます。2SC0650P はブロック電圧が最大 1700 Vの高電力 IGBT に最適です。

MOSFET モード
2SC0650P は専用 MOSFET モードに対応しています。これによって +10 V ～ +20 V / 0 V のゲート電圧振幅が実現し、ほとんどのドライバのスイッチング速度が 150 kHz になります。
高出力電力、非常に短い遅延、非常に小さいジッター機能に対応した 2SC0650P ドライバ コアは、高電力、超高速スイッチング、最先端の MOS 電源デバイスの機能を十分に活用するように設計されています。
高速スイッチング アプリケーションの利点
高速スイッチングは、高いドライブ電力や最大周波数を必要とするだけではなく、ドライバの遅延時間や関連するジッターなどの極めて重要なパラメータに対しても厳しい制御が要求されます。遅延が短い高速ドライバでは、電力システムの制御ループでの位相の遅れが大幅に減少します。これは制御ループの安定性を維持するための必須条件であり、高速スイッチングの利点を十分に活用することができます。

2SC0650P は、80 ナノ秒未満の遅延時間及び ±2 ナノ秒未満の非常に低いジッターを実現する高速信号伝送に対応した SCALE-2 の特徴を持っています。この高出力電力と安定した精度の組み合わせにより、2SC0650P はタイミング マージンの厳密な制御が不可欠なシステムを最適化するために最もふさわしい選択肢となっています。

並列接続 IGBT のドライブ
このドライバでは、個々のドライバと任意の数の IGBT モジュールの直接並列接続が可能です。この新しい先進的な概念により、開発時の大きな負担を軽減して、個別のモジュールによる直列接続と同様、並列接続された IGBT でコンバータ シリーズを構成できるようになりました。
• 直接並列接続:どのような仕組みか