LQA30T200C
優れた EMI 特性を達成する高速シリコン ダイオード
- VRRM - 150 V, 200 V, 300 V, 600 V
- IF(AVG) - 3 A - 40 A
- QRR - 5 nC - 61 nC
アプリケーション
製品詳細
Qspeed ダイオードは、シリコン ダイオードの中で最も低い QRR 値を持っています。このリカバリー特性により、効率を向上させるとともに、EMI を軽減し、スナバを不要にしています。
製品ハイライト
主な内容
- 低 QRR、低 IRRM、低 tRR
- 高 dIF/dt 対応 (1000A/µs)
- スムーズな リカバリー特性
利点
- 効率の向上
- スナバ回路が不要
- EMI フィルタ部品のサイズ及びその点数を軽減
- 極めて高速なスイッチング特性を実現
用途
- 力率改善 (PFC) ブースト ダイオード
- モーター ドライブ回路
- DC-AC インバーター
関連情報
PowerEsim 上で Qspeed ダイオードのシミュレーション
Power Integrations では、 PowerEsim と提携し、高速、高精度で Qspeed 製品の優れた性能のシミュレーションを実現しています。以下の PowerEsim ロゴをクリックして、リンク先をご覧ください。
仕様
| 順方向電流 (平均) | 15.00 A |
| 逆回復電圧 (最大) | 200.00V |
| ICパッケージ | TO-220AB |
| 取付タイプ | 貫通穴 |
| 動作温度 - 最小 | -55 °C |
| 動作温度 - 最大 | 150 °C |
| Product Sub-Type | ダイオード |
