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2SP0230T2A0-FF200R12KS4

Gate Driver for Driving 62mm SiC-MOSFET and Si-IGBT modules up to 1700 V via Electrical Interface

애플리케이션

제품 상세 정보

The Plug-and-Play 2SP0230T2x0 gate driver family is a compact double-channel gate driver designed for the operation of 62 mm half-bridge SiC and IGBT power modules up to 1700 V. The drivers feature electrical interface with built-in DC/DC power supplies. Power Integrations’ Advanced Active Clamping allows to turn-off safely within an extended DC-link voltage range.

This board requires a signal interface (Molex 53258-1029), available for order from Avnet, Digikey or Mouser.

Product Highlights

Highly Integrated, Compact Footprint

  • Ready-to-use gate driver solution for 62 mm half-bridge SiC and IGBT power modules
  • Dual channel gate driver
  • Electrical interface
  • The clearance and creepage distances are defined according to IEC60077-1 providing reinforced insulation up to 1700 V blocking voltage in 2-level applications and basic insulation for 3-level applications using modules up to 1200 V blocking voltage
  • ±30 A peak output gate current
  • 1.3 W output power per channel at maximum ambient temperature
  • -40 °C to 85 °C operating ambient temperature

Protection / Safety Features

  • Short-circuit protection
  • Advanced Active Clamping (AAC)
  • Undervoltage lock-out (UVLO) protection
  • RoHS compliant

명세서

명세서
지원되는 모듈 FF200R12KS4
최대 스위칭 주파수 92.00 kHz
IGBT 전압 등급 1200 V
기술 SCALE-2
출력 전력 / 채널-최대 1.30 W
작동 온도 (최소) -40 ℃
작동 온도 (최대) 85 ℃
인터페이스 유형 전기
모듈 하우징 62mm
IGBT 제조업체 Infineon
채널 수 2
게이트 피크 전류 (최대) +30 A
상품 유형 회로 기판
Product Sub-Type 플러그 앤 플레이 드라이버
지원되는 모듈 유형 IGBT
메인 / 주변 해당 없음
지원되는 토폴로지
2단계 전압 소스
3단계 NP 클램프 - 유형 1
3단계 NP 클램프 - 유형 2
보호 기능
고급 능동 클램핑
과전압
단락
저전압 (2차측)
저전압 (1차측)
드라이브 모드 직접 독립형
IGBT에 대한 연결 유형 Direct
논리 입력 전압 15
공급 전압 (일반) 15.00 V
게이트 턴온 전압 +15.00 V
게이트 턴 오프 전압 -10.00 V
격리 기술 절연
격리 유형 강화형
보관 온도 (최소) (°C) -40.00 ℃
보관 온도 (최대) (°C) 50.00 ℃

리소스